公开(公告)号：CN1222753A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98125611.2

申请日：1998-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵昶贤 ,  郑弘植 ,  李宰求 ,  姜昌珍 ,  郑相燮 ,  郑澈 ,  郑灿旭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888

Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法,包括以下步骤:在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层;在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层;在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形,以暴露所说有源区和部分无源区;腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层,形成自对准接触开口;去掉掩模图形;在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层;平面化腐蚀导电层和层间介质层,从而至少形成两个接触焊盘。

公开(公告)号：CN1236992A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99105861.5

申请日：1999-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昶源 ,  李昌桓 ,  郑澈 ,  韩民锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/76895 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82

Abstract: 公升了一种制造DRAM单元电容器的改进方法,能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括:腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层,形成存储接触孔,用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞,在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区,使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层,形成到存储接触栓塞上表面的开口,以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。

公开(公告)号：CN1157763C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN98125611.2

申请日：1998-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵昶贤 ,  郑弘植 ,  李宰求 ,  姜昌珍 ,  郑相燮 ,  郑澈 ,  郑灿旭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888

Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层；在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层；在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形，以暴露所说有源区和部分无源区；腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层，形成自对准接触开口；去掉掩模图形；在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层；平面化腐蚀导电层和层间介质层，从而至少形成两个接触焊盘。

公开(公告)号：CN1140926C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN99105861.5

申请日：1999-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昶源 ,  李昌桓 ,  郑澈 ,  韩民锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/76895 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82

Abstract: 公开了一种制造DRAM单元电容器的改进方法，能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括：腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层，形成存储接触孔，用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞，在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区，使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层，形成到存储接触栓塞上表面的开口，以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。

公开(公告)号：CN1128474C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中，在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层，如氮化层，以便阻止氧通过扩散进入位线结构中，从而防止位线的氧化。

公开(公告)号：CN1202003A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中,在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层,如氮化层,以便阻止氧通过扩散进入位线结构中,从而防止位线的氧化。