-
公开(公告)号：CN1236992A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN99105861.5
申请日：1999-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/31 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L21/76895 , H01L28/60 , H01L28/82
Abstract: 公升了一种制造DRAM单元电容器的改进方法,能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括:腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层,形成存储接触孔,用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞,在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区,使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层,形成到存储接触栓塞上表面的开口,以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。
-
公开(公告)号：CN1207761C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN01144821.0
申请日：2001-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , C23F1/00
CPC classification number: C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明公开了一种气体喷射器，其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括：陶瓷材料块形式的主体；和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分，而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分，每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出，并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。
-
公开(公告)号：CN1140926C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN99105861.5
申请日：1999-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/31 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L21/76895 , H01L28/60 , H01L28/82
Abstract: 公开了一种制造DRAM单元电容器的改进方法，能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括：腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层，形成存储接触孔，用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞，在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区，使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层，形成到存储接触栓塞上表面的开口，以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1595618A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410047417.X
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32541
Abstract: 一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风，以及从室净化通风气体。
-
公开(公告)号：CN1365138A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01144821.0
申请日：2001-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明公开了一种气体喷射器,其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括:陶瓷材料块形式的主体;和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分,而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分,每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出,并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。
-
公开(公告)号：CN102742227B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201180007593.9
申请日：2011-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L5/16
CPC classification number: H04W88/085 , H04W80/02
Abstract: 提供了一种在数字单元（DU）中发送以太网数据的方法，该数字单元处理基带并与至少两个射频（RF）单元（RU）相接。该方法包括：在无线帧的第一子信道中设置两个或更多个以太网信道的位置信息；使用所述位置信息，在所述无线帧的第二子信道中分配两个或更多个以太网信道；以及向所述至少两个RU发送所述无线帧。
-
公开(公告)号：CN102742227A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007593.9
申请日：2011-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/56
CPC classification number: H04W88/085 , H04W80/02
Abstract: 提供了一种在数字单元（DU）中发送以太网数据的方法，该数字单元处理基带并与至少两个射频（RF）单元（RU）相接。该方法包括：在无线帧的第一子信道中设置两个或更多个以太网信道的位置信息；使用所述位置信息，在所述无线帧的第二子信道中分配两个或更多个以太网信道；以及向所述至少两个RU发送所述无线帧。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
