公开(公告)号：CN117729769A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311097211.7

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全智熙 ,  裵仁在 ,  张志熏 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768 ,  G11C11/34 ,  G11C11/4063

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的S/A电路、位线、栅电极、栅极绝缘图案、沟道、上接触插塞和电容器。位线包括在第二方向上顺序地布置的第一位线、第二位线、第三位线和第四位线。第一下接触插塞、第一下布线和第二下接触插塞在第三方向上顺序地堆叠在S/A电路与第一位线之间，并且电连接到S/A电路和第一位线。第三下接触插塞、第二下布线和第四下接触插塞在第三方向上顺序地堆叠在S/A电路与第三位线之间，并且电连接到S/A电路和第三位线。第一下布线和第二下布线处于彼此不同的水平高度处。

公开(公告)号：CN118057920A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311512969.2

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德欢 ,  朴茁发 ,  裵仁在 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：位线，在基板上并在第一方向上延伸；在位线上的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱包括联接到位线的第一水平部分和从第一水平部分延伸的第一垂直部分，第二有源柱包括联接到位线的第二水平部分和从第二水平部分延伸的第二垂直部分。第一字线和第二字线分别在第一有源柱的第一水平部分和第二有源柱的第二水平部分上，并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第一绝缘层在第一字线和第二字线之间。第一水平部分的第一侧表面和第二水平部分的第二侧表面彼此面对。第一绝缘层包括在第一侧表面和第二侧表面之间的气隙。