公开(公告)号：CN118354600A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311369127.6

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴茁发 ,  宋在俊 ,  河宪俊 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体存储器件，其包括：在衬底上的外围栅极结构；位线，设置在外围栅极结构上并沿第一方向延伸；突出绝缘图案，包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽中设置在位线上并包括金属氧化物；第一字线，设置在沟道结构上并在第二方向上延伸；第二字线，设置在沟道结构上，在第二方向上延伸，并在第一方向上与第一字线间隔开；着落垫，设置在沟道结构上并连接到沟道结构；垫分离图案，设置在突出绝缘图案上并将着落垫分离；第一通道图案，穿过垫分离图案连接到突出绝缘图案并由氧化物基绝缘材料形成；以及设置在着落垫上的数据存储图案。

公开(公告)号：CN118057920A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311512969.2

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德欢 ,  朴茁发 ,  裵仁在 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：位线，在基板上并在第一方向上延伸；在位线上的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱包括联接到位线的第一水平部分和从第一水平部分延伸的第一垂直部分，第二有源柱包括联接到位线的第二水平部分和从第二水平部分延伸的第二垂直部分。第一字线和第二字线分别在第一有源柱的第一水平部分和第二有源柱的第二水平部分上，并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第一绝缘层在第一字线和第二字线之间。第一水平部分的第一侧表面和第二水平部分的第二侧表面彼此面对。第一绝缘层包括在第一侧表面和第二侧表面之间的气隙。