公开(公告)号：CN119277779A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410830307.8

申请日：2024-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在俊 ,  朴梗镺 ,  崔德欢

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了半导体器件。集成电路存储器件(例如，DRAM)包括：衬底，所述衬底在其上具有位线；以及电绝缘区，所述电绝缘区在其中具有暴露所述位线的第一部分的第一开口。提供了第一半导体有源层，所述第一半导体有源层沿着所述第一开口的相对的第一侧壁和第二侧壁以及所述位线的暴露的第一部分形成一层，使得在所述位线的所述暴露的第一部分和所述第一半导体有源层的在所述第一开口的所述第一侧壁和第二侧壁之间延伸的部分之间提供直接电连接。第一字线提供在所述第一半导体有源层的与所述第一开口的所述第一侧壁相对延伸的第一部分上，并且第二字线提供在所述第一半导体有源层的与所述第一开口的所述第二侧壁相对延伸的第二部分上。

公开(公告)号：CN117641889A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310910429.3

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋俊和 ,  金昶植 ,  罗载元 ,  崔德欢

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置包括：上导电线，其位于衬底上；沟道结构，其与上导电线相邻；栅极电介质膜，其位于沟道结构和上导电线之间；以及导电接触图案，其电连接至沟道结构。沟道结构包括主沟道部分和沟道接触部分，主沟道部分包括具有第一成分的氧化物半导体层，沟道接触部分位于主沟道部分和导电接触图案之间。沟道接触部分与导电接触图案接触，并且包括具有不同于第一成分的第二成分的材料。

公开(公告)号：CN118057920A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311512969.2

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德欢 ,  朴茁发 ,  裵仁在 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：位线，在基板上并在第一方向上延伸；在位线上的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱包括联接到位线的第一水平部分和从第一水平部分延伸的第一垂直部分，第二有源柱包括联接到位线的第二水平部分和从第二水平部分延伸的第二垂直部分。第一字线和第二字线分别在第一有源柱的第一水平部分和第二有源柱的第二水平部分上，并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。第一绝缘层在第一字线和第二字线之间。第一水平部分的第一侧表面和第二水平部分的第二侧表面彼此面对。第一绝缘层包括在第一侧表面和第二侧表面之间的气隙。