公开(公告)号：CN119277779A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410830307.8

申请日：2024-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在俊 ,  朴梗镺 ,  崔德欢

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了半导体器件。集成电路存储器件(例如，DRAM)包括：衬底，所述衬底在其上具有位线；以及电绝缘区，所述电绝缘区在其中具有暴露所述位线的第一部分的第一开口。提供了第一半导体有源层，所述第一半导体有源层沿着所述第一开口的相对的第一侧壁和第二侧壁以及所述位线的暴露的第一部分形成一层，使得在所述位线的所述暴露的第一部分和所述第一半导体有源层的在所述第一开口的所述第一侧壁和第二侧壁之间延伸的部分之间提供直接电连接。第一字线提供在所述第一半导体有源层的与所述第一开口的所述第一侧壁相对延伸的第一部分上，并且第二字线提供在所述第一半导体有源层的与所述第一开口的所述第二侧壁相对延伸的第二部分上。

公开(公告)号：CN117641903A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311093457.7

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟武 ,  朴梗镺 ,  张志熏 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/78 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：基板；多条导线，其在基板上在第一水平方向上延伸并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开；第一单元堆叠件，其在多条导线中的每一条上并且包括多个第一竖直晶体管结构和多个第一连接接触件；第二单元堆叠件，其在第一单元堆叠件上并且包括多个第二竖直晶体管结构和多个第二连接接触件；以及多个电容器结构，其布置在第二单元堆叠件上并且连接到多个第一竖直晶体管结构和多个第二竖直晶体管结构。