公开(公告)号：CN119277778A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410791957.6

申请日：2024-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河宪俊 ,  金正云 ,  裴仁在

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种示例半导体装置包括：包括单元阵列区和连接区的衬底；外围电路层；设置在单元阵列区中的外围电路层上的位线；第一上互连部分，其设置在连接区中，相对于衬底与位线位于相同高度上；至少一个下互连层，其设置在外围电路层与位线之间以及外围电路层与第一上互连部分之间；位线绝缘层，其围绕单元阵列区中的位线和连接区中的第一上互连部分；上结构，其设置在位线和第一上互连部分上；信息存储结构，其设置在单元阵列区中的上结构上；以及下接触插塞，其电连接至至少一个下互连层。

公开(公告)号：CN118354600A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311369127.6

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴茁发 ,  宋在俊 ,  河宪俊 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体存储器件，其包括：在衬底上的外围栅极结构；位线，设置在外围栅极结构上并沿第一方向延伸；突出绝缘图案，包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽中设置在位线上并包括金属氧化物；第一字线，设置在沟道结构上并在第二方向上延伸；第二字线，设置在沟道结构上，在第二方向上延伸，并在第一方向上与第一字线间隔开；着落垫，设置在沟道结构上并连接到沟道结构；垫分离图案，设置在突出绝缘图案上并将着落垫分离；第一通道图案，穿过垫分离图案连接到突出绝缘图案并由氧化物基绝缘材料形成；以及设置在着落垫上的数据存储图案。

公开(公告)号：CN117677187A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311150315.X

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张志熏 ,  宋在俊 ,  河宪俊 ,  李钟武

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置，包括下结构、下结构上的层间绝缘层、在下结构上并穿过层间绝缘层的导电屏蔽线、层间绝缘层和导电屏蔽线上的封盖绝缘层、以及在下结构上并穿过封盖绝缘层和层间绝缘层的位线。位线的上表面位于比导电屏蔽线的上表面高的水平高度处。位线的下表面位于等于或低于导电屏蔽线的下表面的水平高度处。