Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"裴仁在" Page 1

1.

发明公开
具有外围接触插塞的半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN119277778A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410791957.6

申请日：2024-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河宪俊 , 金正云 , 裴仁在

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种示例半导体装置包括：包括单元阵列区和连接区的衬底；外围电路层；设置在单元阵列区中的外围电路层上的位线；第一上互连部分，其设置在连接区中，相对于衬底与位线位于相同高度上；至少一个下互连层，其设置在外围电路层与位线之间以及外围电路层与第一上互连部分之间；位线绝缘层，其围绕单元阵列区中的位线和连接区中的第一上互连部分；上结构，其设置在位线和第一上互连部分上；信息存储结构，其设置在单元阵列区中的上结构上；以及下接触插塞，其电连接至至少一个下互连层。

Patent Agency Ranking