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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111833949B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010008418.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器控制器、存储器系统及其操作方法。当接收到针对第一块的数据写入请求时，确定表示在擦除第一块之后经过的时间段的擦除编程间隔(EPI)。当确定的EPI等于或小于参考时间时，基于从多种操作条件之中选择的第一操作条件将数据编程到第一块。当确定的EPI大于参考时间时，基于从所述多种操作条件之中选择的第二操作条件将数据编程到第一块。
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公开(公告)号：CN106971754A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610951508.9
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
CPC classification number: G11C16/3445 , G11C11/5635 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/26
Abstract: 一种非易失性存储器设备可以包括存储单元阵列、地址译码器电路、页面缓冲器电路以及控制逻辑电路。擦除操作包括迭代地执行擦除循环，该擦除循环包括：擦除部分，在其中擦除电压被施加到所选择的存储器块的存储单元；以及擦除验证部分，在其中使用擦除验证电压来验证所选择的存储器块的存储单元。如果在擦除验证部分中所选择的存储器块的存储单元被确定为擦除通过，则控制逻辑电路可监视所选择的存储器块的存储单元。如果所监视的结果指示所选择的存储器块的存储单元处于异常状态，则控制逻辑电路向所选择的存储器块的存储单元施加额外的擦除电压。
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公开(公告)号：CN106971754B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201610951508.9
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
Abstract: 一种非易失性存储器设备可以包括存储单元阵列、地址译码器电路、页面缓冲器电路以及控制逻辑电路。擦除操作包括迭代地执行擦除循环，该擦除循环包括：擦除部分，在其中擦除电压被施加到所选择的存储器块的存储单元；以及擦除验证部分，在其中使用擦除验证电压来验证所选择的存储器块的存储单元。如果在擦除验证部分中所选择的存储器块的存储单元被确定为擦除通过，则控制逻辑电路可监视所选择的存储器块的存储单元。如果所监视的结果指示所选择的存储器块的存储单元处于异常状态，则控制逻辑电路向所选择的存储器块的存储单元施加额外的擦除电压。
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公开(公告)号：CN111833949A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010008418.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器控制器、存储器系统及其操作方法。当接收到针对第一块的数据写入请求时，确定表示在擦除第一块之后经过的时间段的擦除编程间隔(EPI)。当确定的EPI等于或小于参考时间时，基于从多种操作条件之中选择的第一操作条件将数据编程到第一块。当确定的EPI大于参考时间时，基于从所述多种操作条件之中选择的第二操作条件将数据编程到第一块。
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公开(公告)号：CN109658967A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811189134.7
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/30
CPC classification number: G06F3/0625 , G06F3/0653 , G06F3/0688 , G11C16/30 , G11C16/32
Abstract: 提供了一种具有存储器芯片的非易失性存储器设备。所述存储器芯片具有包括共享焊盘的多个存储器平面的存储器单元阵列，所述焊盘被配置为传送输入和输出信号。所述存储器芯片还具有控制电路，其被配置为：监视所述多个存储器平面的操作，以及基于监视的结果控制所述多个存储器平面中的至少一个的操作，使得所述多个存储器平面的峰值功率间隔是至少部分地分散的。
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