公开(公告)号：CN115360199A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210276689.5

申请日：2022-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄允贞 ,  金珉范 ,  成晧准 ,  李星勳 ,  陈俊彦

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。该三维半导体存储器装置可以包括：源极结构，在基底上；堆叠结构，包括在源极结构上并且交替地堆叠的电极层和电极间绝缘层；垂直结构，穿透堆叠结构和源极结构并且与基底相邻；以及分离绝缘图案，穿透堆叠结构和源极结构并且与垂直结构间隔开。电极间绝缘层中的最上面的电极间绝缘层可以包括位于距基底的顶表面的第一高度处的第一杂质注入区域。堆叠结构可以限定凹槽，分离绝缘图案位于凹槽中。凹槽的内侧壁可以限定凹陷区域，凹陷区域位于距基底的顶表面的第一高度处并且朝向垂直结构凹陷。

公开(公告)号：CN110098191A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910057460.0

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩宅 ,  李星勳

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在第一基底与第二基底之间并且包括多个外围互连件；栅极堆叠结构，设置在第二基底上并且包括在垂直于第二基底的上表面的方向上堆叠且彼此分隔开的多个栅电极，其中，所述多个栅电极包括下栅电极、设置在下栅电极上的多个中间栅电极以及设置在所述多个中间栅电极上的上栅电极；第一通过区，穿过第二基底并且设置在栅极堆叠结构下方；第二通过区，穿过第二基底和栅极堆叠结构；以及第一外围连接插塞，穿过第一通过区并且使下栅电极电连接到外围互连件的第一外围互连件。

公开(公告)号：CN110098191B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201910057460.0

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩宅 ,  李星勳

IPC: H10B41/10 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/10 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在第一基底与第二基底之间并且包括多个外围互连件；栅极堆叠结构，设置在第二基底上并且包括在垂直于第二基底的上表面的方向上堆叠且彼此分隔开的多个栅电极，其中，所述多个栅电极包括下栅电极、设置在下栅电极上的多个中间栅电极以及设置在所述多个中间栅电极上的上栅电极；第一通过区，穿过第二基底并且设置在栅极堆叠结构下方；第二通过区，穿过第二基底和栅极堆叠结构；以及第一外围连接插塞，穿过第一通过区并且使下栅电极电连接到外围互连件的第一外围互连件。