公开(公告)号：CN1956461A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610001905.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元钟商 ,  崔光右 ,  金珉范 ,  车正淑

IPC: H04M1/00 ,  H04M1/247 ,  G06F3/048

CPC classification number: G06F9/451 ,  G06F3/0238 ,  G06F3/04895 ,  H04M1/7258 ,  H04M1/72583

Abstract: 公开了一种在便携式终端中显示键信息的方法和设备。键信息的显示被提供从而使得用户能够容易地确认关于由用户设置的快捷键或键输入模块的每个键的功能的信息。

公开(公告)号：CN115360199A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210276689.5

申请日：2022-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄允贞 ,  金珉范 ,  成晧准 ,  李星勳 ,  陈俊彦

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。该三维半导体存储器装置可以包括：源极结构，在基底上；堆叠结构，包括在源极结构上并且交替地堆叠的电极层和电极间绝缘层；垂直结构，穿透堆叠结构和源极结构并且与基底相邻；以及分离绝缘图案，穿透堆叠结构和源极结构并且与垂直结构间隔开。电极间绝缘层中的最上面的电极间绝缘层可以包括位于距基底的顶表面的第一高度处的第一杂质注入区域。堆叠结构可以限定凹槽，分离绝缘图案位于凹槽中。凹槽的内侧壁可以限定凹陷区域，凹陷区域位于距基底的顶表面的第一高度处并且朝向垂直结构凹陷。