公开(公告)号：CN113223971B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202011216450.6

申请日：2020-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌普 ,  孙瓘后 ,  吴俊锡

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/10

Abstract: 公开了半导体器件及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供载体基板，所述载体基板包括导电层；将半导体裸片置于所述载体基板上；形成绝缘层以在所述载体基板上覆盖所述半导体裸片；形成通孔以在所述半导体裸片的侧方穿透所述绝缘层并暴露所述载体基板的所述导电层；执行电镀工艺以形成填充所述通孔的通路，在所述电镀工艺中所述载体基板的所述导电层用作晶种；在和所述绝缘层的第一表面上形成第一再分布层；去除所述载体基板；以及在所述半导体裸片的第二表面和所述绝缘层上形成第二再分布层，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

公开(公告)号：CN111341733A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201911171907.3

申请日：2019-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌普 ,  吴俊锡 ,  朴炳律

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括一个或更多个绝缘层并且具有贯穿部；半导体芯片，设置在所述框架的所述贯穿部中并且具有连接垫；连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的下侧并且包括重新分布层；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的背表面以及所述框架的所述一个或更多个绝缘层中的最上层的绝缘层的顶表面的第一区域，并且在所述贯穿部的侧壁与所述半导体芯片的侧表面之间延伸；以及第二包封剂，覆盖所述框架的所述一个或更多个绝缘层中的所述最上层的绝缘层的所述顶表面的第二区域，并且与所述第一包封剂的在所述框架上的侧表面接触。

公开(公告)号：CN111341733B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201911171907.3

申请日：2019-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌普 ,  吴俊锡 ,  朴炳律

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括一个或更多个绝缘层并且具有贯穿部；半导体芯片，设置在所述框架的所述贯穿部中并且具有连接垫；连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的下侧并且包括重新分布层；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的背表面以及所述框架的所述一个或更多个绝缘层中的最上层的绝缘层的顶表面的第一区域，并且在所述贯穿部的侧壁与所述半导体芯片的侧表面之间延伸；以及第二包封剂，覆盖所述框架的所述一个或更多个绝缘层中的所述最上层的绝缘层的所述顶表面的第二区域，并且与所述第一包封剂的在所述框架上的侧表面接触。

公开(公告)号：CN117476591A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310844045.6

申请日：2023-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炫东 ,  金荣敏 ,  吴俊锡 ,  李尚润 ,  李昌普

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一布线结构，其包括具有多个第一底连接焊盘和多个第一顶连接焊盘的多个第一重分布图案以及围绕多个第一重分布图案的多个第一重分布绝缘层；第二布线结构，其包括具有多个第二底连接焊盘和多个第二顶连接焊盘的多个第二重分布图案以及围绕多个第二重分布图案的多个第二重分布绝缘层；半导体芯片，其插置在第一布线结构和第二布线结构之间；密封剂，其填充第一布线结构和第二布线结构之间的空间；以及多个连接结构，其穿过密封剂并将多个第一顶连接焊盘连接到多个第二底连接焊盘并且布置在半导体芯片周围。

公开(公告)号：CN113223971A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011216450.6

申请日：2020-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌普 ,  孙瓘后 ,  吴俊锡

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/10

Abstract: 公开了半导体器件及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供载体基板，所述载体基板包括导电层；将半导体裸片置于所述载体基板上；形成绝缘层以在所述载体基板上覆盖所述半导体裸片；形成通孔以在所述半导体裸片的侧方穿透所述绝缘层并暴露所述载体基板的所述导电层；执行电镀工艺以形成填充所述通孔的通路，在所述电镀工艺中所述载体基板的所述导电层用作晶种；在和所述绝缘层的第一表面上形成第一再分布层；去除所述载体基板；以及在所述半导体裸片的第二表面和所述绝缘层上形成第二再分布层，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。