公开(公告)号：CN113223971A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011216450.6

申请日：2020-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌普 ,  孙瓘后 ,  吴俊锡

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/10

Abstract: 公开了半导体器件及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供载体基板，所述载体基板包括导电层；将半导体裸片置于所述载体基板上；形成绝缘层以在所述载体基板上覆盖所述半导体裸片；形成通孔以在所述半导体裸片的侧方穿透所述绝缘层并暴露所述载体基板的所述导电层；执行电镀工艺以形成填充所述通孔的通路，在所述电镀工艺中所述载体基板的所述导电层用作晶种；在和所述绝缘层的第一表面上形成第一再分布层；去除所述载体基板；以及在所述半导体裸片的第二表面和所述绝缘层上形成第二再分布层，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

公开(公告)号：CN113223971B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202011216450.6

申请日：2020-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌普 ,  孙瓘后 ,  吴俊锡

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/10

Abstract: 公开了半导体器件及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供载体基板，所述载体基板包括导电层；将半导体裸片置于所述载体基板上；形成绝缘层以在所述载体基板上覆盖所述半导体裸片；形成通孔以在所述半导体裸片的侧方穿透所述绝缘层并暴露所述载体基板的所述导电层；执行电镀工艺以形成填充所述通孔的通路，在所述电镀工艺中所述载体基板的所述导电层用作晶种；在和所述绝缘层的第一表面上形成第一再分布层；去除所述载体基板；以及在所述半导体裸片的第二表面和所述绝缘层上形成第二再分布层，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。