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公开(公告)号：CN1345070A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01125533.1
申请日：2001-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/41 , G11C7/00 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/1084 , G11C7/1006 , G11C7/1045 , G11C7/1051 , G11C7/1066 , G11C7/1072 , G11C7/1078 , G11C11/4096
Abstract: 提供了一种在一存储系统中可以混合具有不同结构的存储模块的同步DRAM和包括该同步DRAM的存储系统。该同步DRAM包括在写入期间接收用于掩蔽输入数据的数据掩蔽信号的数据掩蔽引脚,并且在读取期间通过该数据掩蔽引脚输出与数据选通信号相同的信号。同步DRAM还包括用于缓冲从数据掩蔽引脚接收的数据掩蔽信号并且将其输出到一内部电路的数据掩蔽信号输入缓冲器,和用于缓冲内部产生的内部数据选通信号并且将其输出到数据掩蔽引脚的辅助数据选通信号输出缓冲器。另外,该同步DRAM还包括一可以外部控制的模式寄存器,并且辅助数据选通信号输出缓冲器由该模式寄存器的一输出信号控制。
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公开(公告)号：CN100422908C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200310117785.2
申请日：2003-10-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/00
CPC classification number: G11C11/4076 , G06F13/1647 , G11C7/1045 , G11C7/22 , G11C2207/2281 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种具有网络高总线效率的存储设备，一种该存储设备的操作方法以及一种包括上述存储设备的存储系统。该存储设备包括存储体、编程寄存器和控制器。每个存储体具有以行列矩阵形式排列的多个存储单元。在写操作中，该编程寄存器存储同步写信息，该同步写信息有关有多少其中存储数据的存储体。在读操作中，该控制器响应于同步写信息选择一个受写操作控制的存储体来在选择的存储体中读出存储单元数据。
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公开(公告)号：CN1523606A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310117785.2
申请日：2003-10-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4076 , G06F13/1647 , G11C7/1045 , G11C7/22 , G11C2207/2281 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种具有网络高总线效率的存储设备，一种该存储设备的操作方法以及一种包括上述存储设备的存储系统。该存储设备包括存储体、编程寄存器和控制器。每个存储体具有以行列矩阵形式排列的多个存储单元。在写操作中，该编程寄存器存储同步写信息，该同步写信息有关有多少其中存储数据的存储体。在读操作中，该控制器响应于同步写信息选择一个受写操作控制的存储体来在选择的存储体中读出存储单元数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1106550A
公开(公告)日：1995-08-09
申请号：CN94118176.6
申请日：1994-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李在鎣
IPC: G06F13/16 , G11C11/404
CPC classification number: G11C8/08
Abstract: 一种用来在半导体存储器件中驱动连接于存储单元的字线以执行存储单元的数据存取操作的字线驱动电路，它包括：一个带有经由隔离栅场效应传送晶体管而连接于行译码信号的栅极节点且连接在字线和带有规定电压的字线驱动信号之间的隔离栅场效应上拉晶体管，一个用来向隔离栅场效应传送晶体管的栅极馈送根据规定的控制信号而产生的传送放大信号，使栅极节点至少在字线驱动信号被激活的前后预充电到至少高于电源电压的电路。
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公开(公告)号：CN1400654A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02131526.4
申请日：2002-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/20 , G11C11/4072
Abstract: 一种用于产生初始化信号的方法，该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤：(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。
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公开(公告)号：CN1097233C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN94118176.6
申请日：1994-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李在鎣
IPC: G06F13/16 , G11C11/404
CPC classification number: G11C8/08
Abstract: 一种用来在半导体存储器件中驱动连接于存储单元的字线以执行存储单元的数据存取操作的字线驱动电路，它包括：一个带有经由隔离栅场效应传送晶体管而连接于行译码信号的栅极节点且连接在字线和带有规定电压的字线驱动信号之间的隔离栅场效应上拉晶体管，一个用来向隔离栅场效应传送晶体管的栅极馈送根据规定的控制信号而产生的传送放大信号，使栅极节点至少在字线驱动信号被激活的前后预充电到至少高于电源电压的电路。
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公开(公告)号：CN1287443C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02131526.4
申请日：2002-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/20 , G11C11/4072
Abstract: 一种用于产生初始化信号的方法，该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤：(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令；(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平；(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令；(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令；以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。
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公开(公告)号：CN1214396C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01125533.1
申请日：2001-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/41 , G11C7/00 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/1084 , G11C7/1006 , G11C7/1045 , G11C7/1051 , G11C7/1066 , G11C7/1072 , G11C7/1078 , G11C11/4096
Abstract: 提供了一种在一存储系统中可以混合具有不同结构的存储模块的同步DRAM和包括该同步DRAM的存储系统。该同步DRAM包括在写入期间接收用于掩蔽输入数据的数据掩蔽信号的数据掩蔽引脚，并且在读取期间通过该数据掩蔽引脚输出与数据选通信号相同的信号。同步DRAM还包括用于缓冲从数据掩蔽引脚接收的数据掩蔽信号并且将其输出到一内部电路的数据掩蔽信号输入缓冲器，和用于缓冲内部产生的内部数据选通信号并且将其输出到数据掩蔽引脚的辅助数据选通信号输出缓冲器。另外，该同步DRAM还包括一可以外部控制的模式寄存器，并且辅助数据选通信号输出缓冲器由该模式寄存器的一输出信号控制。
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