-
公开(公告)号：CN100336132C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN02105066.X
申请日：2002-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1069 , G11C7/065 , G11C7/1048 , G11C7/1051 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C7/12 , G11C2207/002
Abstract: 一种存储器控制电路，包括按照一个读控制信号和一个地址值控制的读充电控制电路。按照一个写控制信号和相同的或不同的一个地址控制写充电控制电路。利用读充电控制电路和写充电控制电路控制向相同的数据I/O线的充电和自相同的数据I/O线的充电。一种列选择线电路可配置成第一装置，其中的第一输出按照读控制输入和地址激励，第二输出按照写控制输入和相同的或不同的地址激励。在第二装置中，按照地址和读控制信号或写控制信号激励第一输出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100422908C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200310117785.2
申请日：2003-10-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/00
CPC classification number: G11C11/4076 , G06F13/1647 , G11C7/1045 , G11C7/22 , G11C2207/2281 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种具有网络高总线效率的存储设备，一种该存储设备的操作方法以及一种包括上述存储设备的存储系统。该存储设备包括存储体、编程寄存器和控制器。每个存储体具有以行列矩阵形式排列的多个存储单元。在写操作中，该编程寄存器存储同步写信息，该同步写信息有关有多少其中存储数据的存储体。在读操作中，该控制器响应于同步写信息选择一个受写操作控制的存储体来在选择的存储体中读出存储单元数据。
-
公开(公告)号：CN1523606A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310117785.2
申请日：2003-10-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4076 , G06F13/1647 , G11C7/1045 , G11C7/22 , G11C2207/2281 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种具有网络高总线效率的存储设备，一种该存储设备的操作方法以及一种包括上述存储设备的存储系统。该存储设备包括存储体、编程寄存器和控制器。每个存储体具有以行列矩阵形式排列的多个存储单元。在写操作中，该编程寄存器存储同步写信息，该同步写信息有关有多少其中存储数据的存储体。在读操作中，该控制器响应于同步写信息选择一个受写操作控制的存储体来在选择的存储体中读出存储单元数据。
-
公开(公告)号：CN100424784C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN03147276.1
申请日：2003-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C11/4074 , G11C5/147 , G11C7/22 , G11C7/222
Abstract: 提供了能够选择功率下降退出速度和节电模式的半导体集成电路和存储器件及其方法。该存储器件包括用于响应于功率下降命令而产生功率下降信号的命令解码器，用于存储功率下降退出信息的模式寄存器(MRS)，用于产生与外部时钟信号相同步的内部时钟信号的诸如DLL或者PLL电路的时钟同步电路，以及用于控制该DLL或者PLL电路的控制器。在存储器件的功率下降退出中，能够在快速唤醒时间和慢速唤醒时间之间选择功率下降退出信息。
-
公开(公告)号：CN1485858A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03147276.1
申请日：2003-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C11/4074 , G11C5/147 , G11C7/22 , G11C7/222
Abstract: 提供了能够选择功率下降退出速度和节电模式的半导体集成电路和存储器件及其方法。该存储器件包括用于响应于功率下降命令而产生功率下降信号的命令解码器，用于存储功率下降退出信息的模式寄存器(MRS)，用于产生与外部时钟信号相同步的内部时钟信号的诸如DLL或者PLL电路的时钟同步电路，以及用于控制该DLL或者PLL电路的控制器。在存储器件的功率下降退出中，能够在快速唤醒时间和慢速唤醒时间之间选择功率下降退出信息。
-
公开(公告)号：CN1400604A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02105066.X
申请日：2002-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/1069 , G11C7/065 , G11C7/1048 , G11C7/1051 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C7/12 , G11C2207/002
Abstract: 一种存储器控制电路，包括按照一个读控制信号和一个地址值控制的读充电控制电路。按照一个写控制信号和相同的或不同的一个地址控制写充电控制电路。利用读充电控制电路和写充电控制电路控制向相同的数据I/O线的充电和自相同的数据I/O线的充电。一种列选择线电路可配置成第一装置，其中的第一输出按照读控制输入和地址激励，第二输出按照写控制输入和相同的或不同的地址激励。在第二装置中，按照地址和读控制信号或写控制信号激励第一输出。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.024 seconds)
