公开(公告)号：CN109656736B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201811044752.2

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹德镛 ,  李喆雨

IPC: G06F11/07 ,  G06F11/10 ,  G11C5/14 ,  G11C29/56

Abstract: 提供了存储装置、计算系统及其调试方法。所述存储装置在出现错误时生成用于调试的转储数据，并包括：存储器件，所述存储器件包括用于存储所述转储数据的转储区域；以及存储控制器，所述转储控制器通过第一主机接口从主机接收转储请求，响应于所述转储请求将所述转储数据存储在所述转储区域中，以及在将第二主机接口复位之后，通过利用所述第二主机接口向所述主机传送所存储的转储数据。

公开(公告)号：CN109656736A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811044752.2

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹德镛 ,  李喆雨

IPC: G06F11/07 ,  G06F11/10 ,  G11C5/14 ,  G11C29/56

CPC classification number: G06F11/0778 ,  G06F11/008 ,  G06F11/0727 ,  G06F11/0784 ,  G06F11/0787 ,  G06F11/3476 ,  G11C29/56 ,  G06F11/0793 ,  G06F11/1068 ,  G11C5/148 ,  G11C29/56008 ,  G11C2029/5606

Abstract: 提供了存储装置、计算系统及其调试方法。所述存储装置在出现错误时生成用于调试的转储数据，并包括：存储器件，所述存储器件包括用于存储所述转储数据的转储区域；以及存储控制器，所述转储控制器通过第一主机接口从主机接收转储请求，响应于所述转储请求将所述转储数据存储在所述转储区域中，以及在将第二主机接口复位之后，通过利用所述第二主机接口向所述主机传送所存储的转储数据。

公开(公告)号：CN101436590A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810215310.X

申请日：2008-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李太宁 ,  李东河 ,  李喆雨

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/28 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供了一种具有提高的接合可靠性的层叠封装(POP)。POP包括：下封装；上封装，安装在下封装上；多个接合构件，将下封装电连接至上封装。下封装包括下基底和安装在下基底的第一表面上的下半导体芯片。上封装包括上基底和安装在上基底上的至少一个上半导体芯片。接合构件布置在下封装和上封装之间。下封装还包括完全填充在上封装的上基底和下封装的下基底之间的下密封构件，以包围接合构件和保护下半导体芯片。