公开(公告)号：CN1099679C

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN95117155.0

申请日：1995-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权锡千 ,  金镇祺

IPC: G11C16/16

CPC classification number: G11C16/3445 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/344

Abstract: 提供一种同时擦去应变更的已写入多个存储块的数据的电可擦可编程的非易失性半导体存储器件。该非易失性半导体存储器件具有多个与存储块相接的块选择电路，该多个块选择电路寄存着块选择标志，以便在擦去工作中选择至少一个所选定的存储块内的多个存储晶体管的控制栅，由于分别具有寄存着使其余的非选择的存储块内的多个存储晶体管的控制栅浮动的复位标志的寄存装置，在该擦去工作中只同时擦去该所选定的存储块内的存储晶体管。

公开(公告)号：CN1139812A

公开(公告)日：1997-01-08

申请号：CN95117155.0

申请日：1995-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权锡千 ,  金镇祺

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C16/3445 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/344

Abstract: 提供一种同时擦去应变更的已写入多个存储块的数据的电可擦可编程的非易失性半导体存储器件。该非易失性半导体存储器件具有多个与存储块相接的块选择电路，该多个块选择电路寄存着块选择标志，以便在擦去工作中选择至少一个所选定的存储块内的多个存储晶体管的控制栅，由于分别具有寄存着使其余的非选择的存储块内的多个存储晶体管的控制栅浮动的复位标志的寄存装置，在该擦去工作中只同时擦去该所选定的存储块内的存储晶体管。

公开(公告)号：CN102456406A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110344857.1

申请日：2011-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲范 ,  柳珍镐 ,  姜相喆 ,  权锡千

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: H03K19/0005 ,  G11C5/063 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1084

Abstract: 非易失性存储器件包括：片内终结电路，其与输入/输出电路相连；以及，片内终结控制逻辑，其基于命令和控制信号检测选通信号的前同步信号，并在前同步信号时段内激活片内终结。

公开(公告)号：CN106605184B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201580046440.3

申请日：2015-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩硕在 ,  任洸万 ,  姜一木 ,  姜相喆 ,  权锡千 ,  李硕灿

IPC: G06F1/00

Abstract: 提供一种存储卡，所述存储卡包括：两对相对的边缘；第一行端子，与存储卡的插入侧边缘相邻布置；第二行端子，远离存储卡的插入侧边缘布置。存储卡可以依据软件容易地复位，而不需要依据硬件来控制电源。另外，在将存储卡插入到卡槽中期间可以平滑地附接和分离存储卡，并减小对装置的损坏。

公开(公告)号：CN102651237B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201210047778.9

申请日：2012-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相喆 ,  权锡千 ,  李秀雄

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3436

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。

公开(公告)号：CN106469875B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201610639241.X

申请日：2016-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权锡千 ,  李宰范 ,  李锡宪

IPC: H01R13/46 ,  H01R12/71 ,  G06K19/077

Abstract: 本公开涉及存储卡适配器。例如，一种存储卡适配器可以被提供，所述存储卡适配器包含与第一标准的存储卡插座相应的壳体部分，壳体部分包括：卡安置部分，所述卡安置部分被配置为在其中安置与第一标准不同的第二标准的存储卡；壳体部分的限定通孔的第一表面，通孔配置为将安置在壳体部分中的存储卡的连接引脚暴露于壳体部分的外部；以及壳体部分的限定卡插入孔的第二表面，第二表面与第一表面不同，卡插入孔配置为接收存储卡进卡安置部分内。

公开(公告)号：CN102456406B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201110344857.1

申请日：2011-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲范 ,  柳珍镐 ,  姜相喆 ,  权锡千

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: H03K19/0005 ,  G11C5/063 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1084

Abstract: 非易失性存储器件包括：片内终结电路，其与输入/输出电路相连；以及，片内终结控制逻辑，其基于命令和控制信号检测选通信号的前同步信号，并在前同步信号时段内激活片内终结。

公开(公告)号：CN106605184A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580046440.3

申请日：2015-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩硕在 ,  任洸万 ,  姜一木 ,  姜相喆 ,  权锡千 ,  李硕灿

IPC: G06F1/00

Abstract: 提供一种存储卡，所述存储卡包括：两对相对的边缘；第一行端子，与存储卡的插入侧边缘相邻布置；第二行端子，远离存储卡的插入侧边缘布置。存储卡可以依据软件容易地复位，而不需要依据硬件来控制电源。另外，在将存储卡插入到卡槽中期间可以平滑地附接和分离存储卡，并减小对装置的损坏。

公开(公告)号：CN102651237A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210047778.9

申请日：2012-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相喆 ,  权锡千 ,  李秀雄

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3436

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。

公开(公告)号：CN1447227A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03125037.8

申请日：2003-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永准 ,  权锡千 ,  李锡宪 ,  李栽荣

IPC: G06F9/06 ,  G06F9/445 ,  G06F12/00 ,  G06F13/14

CPC classification number: G06F9/4403 ,  G06F9/4406 ,  G06F9/44573

Abstract: 提供用于使用NAND闪速存储引导计算设备的系统和方法。将存储在NAND闪速存储器中的引导程序代码传送到RAM用于CPU执行。将存储在NAND闪速存储器中的操作系统程序传送给系统存储器用于在系统引导后由CPU执行。