公开(公告)号：CN110634724B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201910524933.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜姓佶 ,  朴珉燮 ,  金锟埈 ,  白在职 ,  申载振 ,  郑印惠

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。

公开(公告)号：CN115464553A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210557040.0

申请日：2022-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎燮 ,  朴珉燮 ,  李柱奉 ,  朴成龙 ,  孙沂周 ,  严在荣

IPC: B24B37/34 ,  B24B37/04

Abstract: 公开了调节盘更换设备和方法。所述调节盘更换设备包括：拆卸器，被配置为将调节盘与保持器分开；传送部，被配置为传送调节盘；以及容器，被配置为储存调节盘。拆卸器包括拆卸体和结合到拆卸体的旋转部，旋转部包括在第一水平方向上从旋转部向外突出的键，并且旋转部被配置为围绕在第一水平方向上延伸的轴旋转。

公开(公告)号：CN110634724A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910524933.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜姓佶 ,  朴珉燮 ,  金锟埈 ,  白在职 ,  申载振 ,  郑印惠

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。