公开(公告)号：CN117790360A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311149424.X

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李雨林 ,  徐明材 ,  郑印惠 ,  姜姓佶

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了衬底处理装置、衬底处理方法以及制造半导体器件的方法。衬底处理方法包括：提供工艺气体；通过等离子体点火从工艺气体中生成包括第一蚀刻剂和第二蚀刻剂的初步蚀刻剂；通过控制初步蚀刻剂的成分比来生成工艺蚀刻剂；以及用工艺蚀刻剂执行衬底的选择性蚀刻。

公开(公告)号：CN110634724A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910524933.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜姓佶 ,  朴珉燮 ,  金锟埈 ,  白在职 ,  申载振 ,  郑印惠

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。

公开(公告)号：CN110634724B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201910524933.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜姓佶 ,  朴珉燮 ,  金锟埈 ,  白在职 ,  申载振 ,  郑印惠

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体。通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。

公开(公告)号：CN115938901A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210991671.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李雨林 ,  姜姓佶 ,  金旼亨 ,  金寅成 ,  朴硕永 ,  安常秦 ,  郑印惠 ,  崔圭植

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种基底处理设备。所述基底处理设备包括：第一组内表面至第四组内表面，分别至少部分地限定等离子体形成区域、气体供应区域、气体混合区域和基底处理区域，其中，基底处理设备被构造为在等离子体形成区域内形成等离子体，将处理气体从气体供应区域供应到等离子体形成区域，基于从等离子体形成区域供应的自由基的重组而在气体混合区域中形成蚀刻剂，并且基于基底处理区域内的蚀刻剂来处理基底；喷头，位于气体混合区域与基底处理区域之间，并且被构造为将蚀刻剂供应到基底处理区域；涂层，覆盖喷头的表面，并且包括含磷(P)的镍(Ni)；以及加热器，被构造为控制喷头的表面温度。