-
公开(公告)号：CN117790360A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311149424.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 提供了衬底处理装置、衬底处理方法以及制造半导体器件的方法。衬底处理方法包括：提供工艺气体；通过等离子体点火从工艺气体中生成包括第一蚀刻剂和第二蚀刻剂的初步蚀刻剂；通过控制初步蚀刻剂的成分比来生成工艺蚀刻剂；以及用工艺蚀刻剂执行衬底的选择性蚀刻。
Search Results
1
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
