公开(公告)号：CN113140574A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110055063.7

申请日：2021-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴京恩 ,  沈载株 ,  禹东城 ,  林钟光 ,  张在薰

IPC: H01L27/11578 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区和连接区；交替地堆叠在衬底上的多个电极间电介质层和多个电极层，其中，所述多个电极层的端部在连接区上形成台阶形状；平面化的电介质层，其位于连接区上，并且覆盖所述多个电极层的端部；以及第一异常伪竖直图案，其位于连接区上，并且在垂直于衬底的顶表面的第一方向上穿过平面化的电介质层。所述多个电极层中的至少一个设置在第一异常伪竖直图案与衬底之间，并且与第一异常伪竖直图案绝缘。

公开(公告)号：CN118943171A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410565769.1

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴京恩 ,  郭率美 ,  金振赫 ,  金亨珍 ,  成玎镛 ,  申旻树 ,  辛承俊 ,  申重植 ,  郑圣熙 ,  韩智勋

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种垂直存储器件可以包括：在基板上的公共源极板，包括第一区域和第二区域；栅极图案结构，在公共源极板上并从第一区域延伸到第二区域，其中栅极图案结构包括栅极图案和第一绝缘层，其中相邻的栅极图案结构彼此间隔开；第一分隔图案，填充在第一区域上在相邻的栅极图案结构之间的第一开口；第二分隔图案，填充在第二区域上在相邻的栅极图案结构之间的第二开口，其中第二分隔图案中的至少一个连接到第一分隔图案中的至少一个，以及其中第二分隔图案具有与第一分隔图案的形状不同的形状；以及沟道结构，穿过在第一区域上的栅极图案结构。