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公开(公告)号：CN113140574A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110055063.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区和连接区；交替地堆叠在衬底上的多个电极间电介质层和多个电极层，其中，所述多个电极层的端部在连接区上形成台阶形状；平面化的电介质层，其位于连接区上，并且覆盖所述多个电极层的端部；以及第一异常伪竖直图案，其位于连接区上，并且在垂直于衬底的顶表面的第一方向上穿过平面化的电介质层。所述多个电极层中的至少一个设置在第一异常伪竖直图案与衬底之间，并且与第一异常伪竖直图案绝缘。
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