公开(公告)号：CN118943171A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410565769.1

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴京恩 ,  郭率美 ,  金振赫 ,  金亨珍 ,  成玎镛 ,  申旻树 ,  辛承俊 ,  申重植 ,  郑圣熙 ,  韩智勋

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种垂直存储器件可以包括：在基板上的公共源极板，包括第一区域和第二区域；栅极图案结构，在公共源极板上并从第一区域延伸到第二区域，其中栅极图案结构包括栅极图案和第一绝缘层，其中相邻的栅极图案结构彼此间隔开；第一分隔图案，填充在第一区域上在相邻的栅极图案结构之间的第一开口；第二分隔图案，填充在第二区域上在相邻的栅极图案结构之间的第二开口，其中第二分隔图案中的至少一个连接到第一分隔图案中的至少一个，以及其中第二分隔图案具有与第一分隔图案的形状不同的形状；以及沟道结构，穿过在第一区域上的栅极图案结构。