公开(公告)号：CN115734616A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211002748.6

申请日：2022-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙仑焕 ,  金亨珍 ,  辛承俊 ,  申重植 ,  申旻树 ,  韩智勋

IPC: H10B53/20 ,  H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H10B51/20

Abstract: 一种半导体器件，包括：下阶梯连接部，在衬底上位于第一竖直高度处；上阶梯连接部，在衬底上位于高于第一竖直高度的第二竖直高度处；下绝缘块，在第一竖直高度处接触多个下导电焊盘部中的每一个；上绝缘块，在第二竖直高度处接触多个上导电焊盘部中的每一个；中间绝缘膜，在第一竖直高度和第二竖直高度之间的第三竖直高度处在下绝缘块和上绝缘块之间；以及第一插塞结构，沿竖直方向延伸到下阶梯连接部、中间绝缘膜和上绝缘块中，其中，第一插塞结构在水平方向上的宽度在第三竖直高度处最大。

公开(公告)号：CN118943171A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410565769.1

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴京恩 ,  郭率美 ,  金振赫 ,  金亨珍 ,  成玎镛 ,  申旻树 ,  辛承俊 ,  申重植 ,  郑圣熙 ,  韩智勋

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H10B80/00

Abstract: 一种垂直存储器件可以包括：在基板上的公共源极板，包括第一区域和第二区域；栅极图案结构，在公共源极板上并从第一区域延伸到第二区域，其中栅极图案结构包括栅极图案和第一绝缘层，其中相邻的栅极图案结构彼此间隔开；第一分隔图案，填充在第一区域上在相邻的栅极图案结构之间的第一开口；第二分隔图案，填充在第二区域上在相邻的栅极图案结构之间的第二开口，其中第二分隔图案中的至少一个连接到第一分隔图案中的至少一个，以及其中第二分隔图案具有与第一分隔图案的形状不同的形状；以及沟道结构，穿过在第一区域上的栅极图案结构。