公开(公告)号：CN108573860B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201710142850.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  金宝螺 ,  金惠智 ,  赵先觉

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。

公开(公告)号：CN108572513A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201710142957.3

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  赵先觉

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/004 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明构思的实施方式提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案。使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一光刻胶图案包括包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元的共聚物，其中“R1”、“R2”、“R3”、“p”、“q”和“r”与说明书中定义的相同。

公开(公告)号：CN108572513B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201710142957.3

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  赵先觉

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明构思的实施方式提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括形成包括交替地且重复地堆叠在基底上的绝缘层和牺牲层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成第一光刻胶图案。使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一光刻胶图案包括包含多个由以下化学式1和2表示的单元以及任选的多个由以下化学式3表示的单元的共聚物，其中“R1”、“R2”、“R3”、“p”、“q”和“r”与说明书中定义的相同。

公开(公告)号：CN111748093A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010005831.3

申请日：2020-01-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 姜美荣 ,  洪锡九 ,  金橞伦 ,  金知贤 ,  金炫辰 ,  卢孝贞 ,  朴钟庆 ,  李正烈

IPC: C08G73/06 ,  G03F7/11 ,  C09D179/04 ,  C09D5/00

Abstract: 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1] 其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1-C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3-C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有1至6个第三杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。

公开(公告)号：CN111748093B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202010005831.3

申请日：2020-01-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 姜美荣 ,  洪锡九 ,  金橞伦 ,  金知贤 ,  金炫辰 ,  卢孝贞 ,  朴钟庆 ,  李正烈

IPC: C08G73/06 ,  G03F7/11 ,  C09D179/04 ,  C09D5/00

Abstract: 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1]其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1‑C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3‑C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1‑C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3‑C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1‑C10

公开(公告)号：CN108573860A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201710142850.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  金宝螺 ,  金惠智 ,  赵先觉

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。