公开(公告)号：CN108573860B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201710142850.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  金宝螺 ,  金惠智 ,  赵先觉

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。

公开(公告)号：CN114556366A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080051012.0

申请日：2020-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 斯特凡诺斯·拉斯卡里迪斯 ,  金惠智 ,  斯蒂利亚诺斯·维尼里斯

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06N3/063

Abstract: 公开了一种电子设备。该电子设备包括存储至少一个指令的存储器、以及联接到该存储器并且配置为控制该电子设备的处理器，该处理器配置为基于处理或电子设备中的至少一个中的至少一个约束来识别包括在神经网络中的多个退出点中的一个，通过该神经网络处理输入数据并且获取从所识别的退出点输出的处理结果作为输出数据。

公开(公告)号：CN114144794A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080052984.1

申请日：2020-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 穆罕默德·S·阿卜杜勒法塔赫 ,  卢卡斯·杜齐亚克 ,  周俊邦 ,  金惠智 ,  李罗森 ,  苏拉夫·巴塔查里亚

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06N3/12 ,  G06N7/00

Abstract: 公开了一种电子装置及其控制方法。电子装置包括：存储器，用于存储多个加速器和多个神经网络；以及处理器，经配置以在多个神经网络中选择第一神经网络并在多个加速器中选择第一加速器以实现第一神经网络，在第一加速器上实现第一神经网络以获得与实现相关联的信息，基于与实现相关联的信息获得第一加速器和第一神经网络的第一奖励值，从多个神经网络中选择要在第一加速器上实现的第二神经网络，在第一加速器上实现第二神经网络以获得与实现相关联的信息，基于与实现相关联的信息获得第一加速器和第二神经网络的第二奖励值，基于第一奖励值和第二奖励值在多个神经网络和多个加速器中选择具有最大奖励值的神经网络和加速器。

公开(公告)号：CN108573860A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201710142850.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  金宝螺 ,  金惠智 ,  赵先觉

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。