公开(公告)号：CN109585440B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201811110552.2

申请日：2018-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢廷铉

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括在基板上的前道工序区，其中，所述前道工序区可包括静电放电保护电路和与所述静电放电保护电路电连接的集成电路。后道工序区可在所述前道工序区上，并且静电放电保护图案可在所述基板的划片区上。所述静电放电保护图案可包括下部图案，所述下部图案沿着所述基板延伸并且具有暴露在所述后道工序区外部的侧表面。通路可电连接到所述下部图案并且垂直于所述基板延伸，并且上部图案可电连接到所述通路。

公开(公告)号：CN113496909A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011533167.6

申请日：2020-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢廷铉 ,  李民宰 ,  车云镐

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体管芯、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体管芯包括：中心区域和包围中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路、穿过右下角区域的第二导电回路、穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路、穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路以及用于屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路的端节点。

公开(公告)号：CN112117255A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010330460.6

申请日：2020-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢廷铉

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一衬底，具有第一表面并包括第一电极；第一凸块焊盘，位于第一衬底的第一表面上并连接到第一电极；第二衬底，具有面对第一衬底的第一表面的第二表面并包括第二电极；位于第二衬底的第二表面上的第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘；以及凸块结构。所述第二凸块焊盘具有从第二凸块焊盘的侧表面朝向第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构。第二凸块焊盘可以连接到第二电极。凸块结构可以接触第一凸块焊盘和第二凸块焊盘。凸块结构可以具有突出通过凹陷结构的部分。邻近的第二凸块焊盘可以邻近第二凸块焊盘并且包括与第二凸块焊盘的凹陷结构在不同的方向上定向的凹陷结构。

公开(公告)号：CN109585440A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811110552.2

申请日：2018-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢廷铉

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括在基板上的前道工序区，其中，所述前道工序区可包括静电放电保护电路和与所述静电放电保护电路电连接的集成电路。后道工序区可在所述前道工序区上，并且静电放电保护图案可在所述基板的划片区上。所述静电放电保护图案可包括下部图案，所述下部图案沿着所述基板延伸并且具有暴露在所述后道工序区外部的侧表面。通路可电连接到所述下部图案并且垂直于所述基板延伸，并且上部图案可电连接到所述通路。

公开(公告)号：CN116985034A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202211677137.1

申请日：2022-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢廷铉 ,  金宗圭 ,  林汪铣 ,  韩万熙 ,  洪在荣

IPC: B24B53/017 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 提供了研磨设备和使用研磨设备制造半导体装置的方法。所述研磨设备包括：夹持单元，被配置为容纳基底；研磨单元，在夹持单元的一部分上并被配置为研磨基底；以及修整单元，与夹持单元相邻地在研磨单元的一部分下方，并且包括被配置为修整研磨单元的修整板和修整板下方的磁体。