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公开(公告)号：CN113496909A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202011533167.6
申请日：2020-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体管芯、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体管芯包括：中心区域和包围中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路、穿过右下角区域的第二导电回路、穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路、穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路以及用于屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路的端节点。
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