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公开(公告)号：CN111199974A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911100831.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南奇亨
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 半导体装置包括：衬底中的有源区域；隔离膜，其限定衬底中的有源区域；栅沟槽，其延伸穿过有源区域和隔离膜，并且包括有源区域中的第一沟槽和隔离膜中的第二沟槽；栅电极，其包括主栅电极和传输栅电极，主栅电极填充第一沟槽的下部，并且传输栅电极填充第二沟槽的下部；支撑结构，其在传输栅电极上，该支撑结构填充第二沟槽的上部；以及栅绝缘膜，其介于隔离膜和传输栅电极之间以及支撑结构和传输栅电极之间。
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公开(公告)号：CN110931552A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910489932.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南奇亨
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了具有栅极绝缘层的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极沟槽；上栅极绝缘层，在栅极沟槽的上部区域的内表面上；下栅极绝缘层，在栅极沟槽的下部区域的内表面和下表面上并且连接到上栅极绝缘层；第一栅极阻挡层，在下栅极绝缘层的内侧上；栅电极，在第一栅极阻挡层的内侧上并配置为填充栅极沟槽的下部区域；以及栅极掩埋部分，在栅电极上。下栅极绝缘层的上端的内周边的直径大于上栅极绝缘层的下端的内周边的直径。
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公开(公告)号：CN103633145B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201310367400.1
申请日：2013-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L27/228 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L29/4236 , H01L29/66621 , H01L29/78 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基板，包括二维布置的有源部分；器件隔离图案，沿有源部分的侧壁延伸，每个器件隔离图案包括第一和第二器件隔离图案；跨过有源部分和器件隔离图案延伸的栅图案，每个栅图案包括栅绝缘层、栅线和栅覆盖图案；以及分别在有源部分上的欧姆图案。第一器件隔离图案的顶表面可以低于第二器件隔离图案的顶表面，栅绝缘层的顶表面可以低于栅覆盖图案的顶表面，欧姆图案可以包括在第一绝缘层上的延伸部。
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公开(公告)号：CN117377312A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310708278.3
申请日：2023-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；位线结构，在第一区域和第二区域上延伸；上间隔物结构，在衬底的第一区域上的位线结构的第一侧壁上；以及绝缘间隔物结构，在衬底的第二区域上的位线结构的第一侧壁上。上间隔物结构可以包括在第一水平方向上顺序堆叠在位线结构的侧壁上的第一上间隔物、第二上间隔物和第三上间隔物。绝缘间隔物结构可以包括在第一水平方向上顺序堆叠在位线结构的第一侧壁上的第一绝缘间隔物、第二绝缘间隔物、第三绝缘间隔物和第四绝缘间隔物。第一绝缘间隔物、第二绝缘间隔物和第三绝缘间隔物分别包括与第一上间隔物、第二上间隔物和第三上间隔物基本上相同的材料。
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公开(公告)号：CN109994449A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811508853.0
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体衬底上的多个柱；以及支撑图案，与柱的一些侧表面接触并将柱彼此连接，其中支撑图案包括暴露柱的其它侧表面的开口，每个柱包括与支撑图案接触的第一柱上部以及与支撑图案间隔开的第二柱上部，第二柱上部具有凹入斜面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931552B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910489932.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南奇亨
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了具有栅极绝缘层的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极沟槽；上栅极绝缘层，在栅极沟槽的上部区域的内表面上；下栅极绝缘层，在栅极沟槽的下部区域的内表面和下表面上并且连接到上栅极绝缘层；第一栅极阻挡层，在下栅极绝缘层的内侧上；栅电极，在第一栅极阻挡层的内侧上并配置为填充栅极沟槽的下部区域；以及栅极掩埋部分，在栅电极上。下栅极绝缘层的上端的内周边的直径大于上栅极绝缘层的下端的内周边的直径。
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公开(公告)号：CN117500267A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310886101.2
申请日：2023-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括以下步骤：在基底上的字线沟槽中形成字线；去除基底的位于一对字线之间的部分以形成直接接触孔；在直接接触孔的内壁上形成包括第一衬垫、牺牲层和第二衬垫的牺牲衬垫结构；在直接接触孔中形成初步直接接触件；去除牺牲层同时留下第一衬垫和第二衬垫，以在第一衬垫和第二衬垫之间形成空气空间；在初步直接接触件上形成覆盖空气空间的上表面的位线堆叠体；对位线堆叠体进行图案化以形成位线；以及去除直接接触孔中的第二衬垫和初步直接接触件的侧部部分以形成直接接触件。
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公开(公告)号：CN117440682A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310734014.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域，所述衬底包括限定在所述单元阵列区域中的第一有源区和限定在所述外围电路区域中的第二有源区；多条字线，位于所述衬底中并且在第一方向上延伸；位线，位于所述单元阵列区域中并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；多个第一焊盘分隔图案，分别位于所述多条字线上，并且在所述第一方向上延伸；单元焊盘结构，位于所述衬底上并且位于所述多个第一焊盘分隔图案中的两个相邻的第一焊盘分隔图案之间；以及第二焊盘分隔图案，位于所述多个第一焊盘分隔图案中的两个相邻的第一焊盘分隔图案之间并且与所述单元焊盘结构相邻。
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公开(公告)号：CN111933655A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010096593.1
申请日：2020-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南奇亨
IPC: H01L27/24
Abstract: 提供了一种制造存储器装置的方法。该方法包括以下步骤：在基底上形成多条下导电线；在所述多条下导电线上形成多个存储器单元；形成限定多条第一线的开关堆叠件，所述多条第一线在多个存储器单元上沿第一方向平行地延伸；在开关堆叠件上形成上导电层；形成限定多条第二线的蚀刻掩模，所述多条第二线在上导电层上沿第二方向平行地延伸，第二方向与第一方向不同；通过使用蚀刻掩模蚀刻上导电层和开关堆叠件来形成多条上导电线和多个开关单元。
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