公开(公告)号：CN103633145A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310367400.1

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南奇亨 ,  P.赵 ,  金容宽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基板，包括二维布置的有源部分；器件隔离图案，沿有源部分的侧壁延伸，每个器件隔离图案包括第一和第二器件隔离图案；跨过有源部分和器件隔离图案延伸的栅图案，每个栅图案包括栅绝缘层、栅线和栅覆盖图案；以及分别在有源部分上的欧姆图案。第一器件隔离图案的顶表面可以低于第二器件隔离图案的顶表面，栅绝缘层的顶表面可以低于栅覆盖图案的顶表面，欧姆图案可以包括在第一绝缘层上的延伸部。

公开(公告)号：CN103633145B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310367400.1

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南奇亨 ,  P.赵 ,  金容宽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基板，包括二维布置的有源部分；器件隔离图案，沿有源部分的侧壁延伸，每个器件隔离图案包括第一和第二器件隔离图案；跨过有源部分和器件隔离图案延伸的栅图案，每个栅图案包括栅绝缘层、栅线和栅覆盖图案；以及分别在有源部分上的欧姆图案。第一器件隔离图案的顶表面可以低于第二器件隔离图案的顶表面，栅绝缘层的顶表面可以低于栅覆盖图案的顶表面，欧姆图案可以包括在第一绝缘层上的延伸部。