公开(公告)号：CN117377312A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310708278.3

申请日：2023-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰亨 ,  宋昊柱 ,  金恩靓 ,  南奇亨 ,  李闰宰

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；位线结构，在第一区域和第二区域上延伸；上间隔物结构，在衬底的第一区域上的位线结构的第一侧壁上；以及绝缘间隔物结构，在衬底的第二区域上的位线结构的第一侧壁上。上间隔物结构可以包括在第一水平方向上顺序堆叠在位线结构的侧壁上的第一上间隔物、第二上间隔物和第三上间隔物。绝缘间隔物结构可以包括在第一水平方向上顺序堆叠在位线结构的第一侧壁上的第一绝缘间隔物、第二绝缘间隔物、第三绝缘间隔物和第四绝缘间隔物。第一绝缘间隔物、第二绝缘间隔物和第三绝缘间隔物分别包括与第一上间隔物、第二上间隔物和第三上间隔物基本上相同的材料。

公开(公告)号：CN117500267A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310886101.2

申请日：2023-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昊柱 ,  金恩靓 ,  南奇亨 ,  朴宰亨 ,  李闰宰

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括以下步骤：在基底上的字线沟槽中形成字线；去除基底的位于一对字线之间的部分以形成直接接触孔；在直接接触孔的内壁上形成包括第一衬垫、牺牲层和第二衬垫的牺牲衬垫结构；在直接接触孔中形成初步直接接触件；去除牺牲层同时留下第一衬垫和第二衬垫，以在第一衬垫和第二衬垫之间形成空气空间；在初步直接接触件上形成覆盖空气空间的上表面的位线堆叠体；对位线堆叠体进行图案化以形成位线；以及去除直接接触孔中的第二衬垫和初步直接接触件的侧部部分以形成直接接触件。

公开(公告)号：CN117440682A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310734014.5

申请日：2023-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  朴宰亨 ,  南奇亨 ,  宋昊柱 ,  李闰宰

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域，所述衬底包括限定在所述单元阵列区域中的第一有源区和限定在所述外围电路区域中的第二有源区；多条字线，位于所述衬底中并且在第一方向上延伸；位线，位于所述单元阵列区域中并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；多个第一焊盘分隔图案，分别位于所述多条字线上，并且在所述第一方向上延伸；单元焊盘结构，位于所述衬底上并且位于所述多个第一焊盘分隔图案中的两个相邻的第一焊盘分隔图案之间；以及第二焊盘分隔图案，位于所述多个第一焊盘分隔图案中的两个相邻的第一焊盘分隔图案之间并且与所述单元焊盘结构相邻。