公开(公告)号：CN1175790A

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN97111265.7

申请日：1997-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南基钦 ,  李炳官 ,  金东浩 ,  安雄宽

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67781

Abstract: 本发明涉及半导体晶片未测试电阻之前,对晶片进行热处理的装置。该热处理装置包括:加热室、等待室、及盒体台面;加热盘用于装晶片,并运送晶片进入加热室;运送加热盘的加热盘运送器在等待室和加热室之间移动;晶片装料机构是将盒体中的晶片装入加热盘;晶片卸料机构则是将加热盘中的晶体取出,并装入盒体。

公开(公告)号：CN1292456C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200310119511.7

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成镇 ,  张胜弦 ,  南基钦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/70

Abstract: 一种用于形成多层互连线路的光掩模组和使用这种光掩模组制造的半导体器件包括用于形成下层互连线路的第一光掩模和用于形成上层互连线路的第二光掩模。第一和第二光掩模带有互相平行的下层不透光图形和覆盖下层不透光图形的上层不透光图形。在这种情况中，下层不透光图形的末端与跨过下层不透光图形的直线一致。因而，当使用第二光掩模来形成上层互连线路时，尽管有反射光的会聚，低质量的光致抗蚀图形还是被防止形成。

公开(公告)号：CN108155185B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201711113575.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在勋 ,  南基钦 ,  李垣哲

IPC: H10D89/10 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体衬底上的多个柱结构；以及支撑图案，其与柱结构的每个的至少一部分接触，支撑图案将柱结构彼此连接，其中支撑图案包括暴露柱结构的侧表面的支撑孔，支撑孔包括彼此间隔开的第二支撑孔和至少一个第一支撑孔，第一支撑孔和第二支撑孔具有彼此不同的形状。

公开(公告)号：CN108155185A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711113575.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在勋 ,  南基钦 ,  李垣哲

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L29/41 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体衬底上的多个柱结构；以及支撑图案，其与柱结构的每个的至少一部分接触，支撑图案将柱结构彼此连接，其中支撑图案包括暴露柱结构的侧表面的支撑孔，支撑孔包括彼此间隔开的第二支撑孔和至少一个第一支撑孔，第一支撑孔和第二支撑孔具有彼此不同的形状。

公开(公告)号：CN118076099A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311469975.4

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  康湳婷 ,  南基钦 ,  崔智贤

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括设置在外围电路区域中的外围电路晶体管。第一连接线和第二连接线设置在外围电路晶体管上方的同一平面上。第二连接线包括断开部分。单元电容器设置在单元区域中的基底上。第一板图案在单元电容器上。第二板图案在第一板图案的表面的一部分上。第一接触插塞直接接触第二板图案的上表面。第三连接线设置在第二连接线上方。第三连接线面向断开部分。第二接触插塞垂直延伸以直接接触第三连接线的侧壁和第二连接线的上表面两者。第三连接线设置在与第二板图案相同的平面上。

公开(公告)号：CN1519890A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310119511.7

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成镇 ,  张胜弦 ,  南基钦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/70

Abstract: 一种用于形成多层互连线路的光掩模组和使用这种光掩模组制造的半导体器件包括用于形成下层互连线路的第一光掩模和用于形成上层互连线路的第二光掩模。第一和第二光掩模带有互相平行的下层不透光图形和覆盖下层不透光图形的上层不透光图形。在这种情况中，下层不透光图形的末端与跨过下层不透光图形的直线一致。因而，当使用第二光掩模来形成上层互连线路时，尽管有反射光的会聚，低质量的光致抗蚀图形还是被防止形成。

公开(公告)号：CN1089487C

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN97111265.7

申请日：1997-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南基钦 ,  李炳官 ,  金东浩 ,  安雄宽

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67781

Abstract: 本发明涉及半导体晶片未测试电阻之前，对晶片进行热处理的装置。该热处理装置包括：一种半导体晶片的热处理装置，用该装置对半导体晶片进行成批热处理，其包括：一个带加热室、等待室及与其连为一体的盒体台面的工作台；一个放在所述加热室中装有晶片的加热盘；一个在等待室和加热室之间移动的加热盘输送装置，用于输送所述的加热盘；用于将盒体中的晶片送至所述加热盘的晶片装料机构；用于将加热盘中的晶片卸出放到盒体中的晶片卸料机构；设在加热室和等待室之间的加热门，和设在等待室和盒体台面之间的前门。