公开(公告)号：CN1292456C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200310119511.7

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成镇 ,  张胜弦 ,  南基钦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/70

Abstract: 一种用于形成多层互连线路的光掩模组和使用这种光掩模组制造的半导体器件包括用于形成下层互连线路的第一光掩模和用于形成上层互连线路的第二光掩模。第一和第二光掩模带有互相平行的下层不透光图形和覆盖下层不透光图形的上层不透光图形。在这种情况中，下层不透光图形的末端与跨过下层不透光图形的直线一致。因而，当使用第二光掩模来形成上层互连线路时，尽管有反射光的会聚，低质量的光致抗蚀图形还是被防止形成。

公开(公告)号：CN1519890A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310119511.7

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成镇 ,  张胜弦 ,  南基钦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/70

Abstract: 一种用于形成多层互连线路的光掩模组和使用这种光掩模组制造的半导体器件包括用于形成下层互连线路的第一光掩模和用于形成上层互连线路的第二光掩模。第一和第二光掩模带有互相平行的下层不透光图形和覆盖下层不透光图形的上层不透光图形。在这种情况中，下层不透光图形的末端与跨过下层不透光图形的直线一致。因而，当使用第二光掩模来形成上层互连线路时，尽管有反射光的会聚，低质量的光致抗蚀图形还是被防止形成。