基板检测装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN100570381C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200610007929.2

    申请日:2006-02-21

    Abstract: 本发明涉及一种基板检测装置及其控制方法,依据本发明所提供的基板检测装置包含:用于检测所述基板的检测单元;设置在所述检测单元入口区域并具有多个供应台架和供应驱动部的供应单元,该多个供应台架支持至少一个所述基板而向所述检测单元依次供应所述基板,该供应驱动部对应于所述检测单元的入口侧而移动多个所述供应台架;设置在所述检测单元出口区域并具有多个排出台架和排出驱动部的排出单元,该多个排出台架支持从所述检测单元依次排出的至少一个所述基板,该排出驱动部对应所述检测单元的出口侧而移动多个所述排出台架。由此提供可以较迅速、简单地检测基板的基板检测装置及其控制方法。

    化学气相沉积装置及其方法

    公开(公告)号:CN100573825C

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200510075315.3

    申请日:2005-06-15

    Abstract: 本发明提供一种为均匀地喷射供应于晶片的工程气体而改进气体分配面板结构的化学气相沉积装置及其方法。为此,本发明包含用于向工艺室内的晶片分配工程气体的喷头,该喷头包含形成多个气体喷射流路的气体分配面板,多个气体喷射流路中至少一个流路包含向气体分配面板开始流入工程气体的第一流路和为了改变通过第一流路的工程气体的流向而相对第一流路的方向按一定角度倾斜而形成的第二流路。此时,为了使工程气体通过第二流路并被扩散到更宽的面积,第二流路可以形成导槽形态。据此结构,本发明即使为了提高工艺效率而缩短气体分配面板和晶片之间的间距,也能将工程气体均匀沉积到晶片整个表面,因而具有能制造优质晶片的效果。

    基板检测装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN1908685A

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN200610007929.2

    申请日:2006-02-21

    Abstract: 本发明涉及一种基板检测装置及其控制方法,依据本发明所提供的基板检测装置包含:用于检测所述基板的检测单元;设置在所述检测单元入口区域并具有多个供应台架和供应驱动部的供应单元,该多个供应台架支持至少一个所述基板而向所述检测单元依次供应所述基板,该供应驱动部对应于所述检测单元的入口侧而移动多个所述供应台架;设置在所述检测单元出口区域并具有多个排出台架和排出驱动部的排出单元,该多个排出台架支持从所述检测单元依次排出的至少一个所述基板,该排出驱动部对应所述检测单元的出口侧而移动多个所述排出台架。由此提供可以较迅速、简单地检测基板的基板检测装置及其控制方法。

    化学气相沉积装置及其方法

    公开(公告)号:CN1848380A

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:CN200510075315.3

    申请日:2005-06-15

    Abstract: 本发明提供一种为均匀地喷射供应于晶片的工程气体而改进气体分配面板结构的化学气相沉积装置及其方法。为此,本发明包含用于向工艺室内的晶片分配工程气体的喷头,该喷头包含形成多个气体喷射流路的气体分配面板,多个气体喷射流路中至少一个流路包含向气体分配面板开始流入工程气体的第一流路和为了改变通过第一流路的工程气体的流向而相对第一流路的方向按一定角度倾斜而形成的第二流路。此时,为了使工程气体通过第二流路并被扩散到更宽的面积,第二流路可以形成导槽形态。据此结构,本发明即使为了提高工艺效率而缩短气体分配面板和晶片之间的间距,也能将工程气体均匀沉积到晶片整个表面,因而具有能制造优质晶片的效果。

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