-
公开(公告)号：CN102939407B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
摘要： 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
-
公开(公告)号：CN111270236B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201911217843.6
申请日：2019-12-03
摘要： 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。
-
-
公开(公告)号：CN113805441A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110664970.1
申请日：2021-06-16
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 公开了一种剥离组合物。一实施例的剥离组合物以剥离组合物的总重量为基准而包括：1重量％以上50重量％以下的极性溶剂；1重量％以上60重量％以下的二醇化合物；1重量％以上20重量％以下的胺化合物；以及1重量％以上40重量％以下的水，其中，以剥离组合物的总重量为基准，极性溶剂以10重量％以上40重量％以下的含量包括N,N‑二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。剥离组合物可以在形成于电极上的光致抗蚀剂图案的去除工序中使用，并且可以显示出防止电极腐蚀的特性。
-
公开(公告)号：CN111270236A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911217843.6
申请日：2019-12-03
摘要： 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。
-
公开(公告)号：CN104451681B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410497650.1
申请日：2014-09-25
摘要： 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
-
公开(公告)号：CN108203827A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711373532.X
申请日：2017-12-19
IPC分类号： C23F1/18 , H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC分类号： C23F1/18 , H01L21/28008 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L29/4232
摘要： 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。
-
公开(公告)号：CN107488856A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710437114.6
申请日：2017-06-12
IPC分类号： C23F1/44 , H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L29/66
CPC分类号： C23F1/44 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L29/66765
摘要： 本发明涉及蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。本发明的一实施例的蚀刻液组合物包括0.1wt％至5wt％的磺酸类化合物、0.1wt％至3wt％的氟化合物、0.1wt％至5wt％的铜化合物及余量的水，并且所述蚀刻液组合物的pKa值为3以下。
-
公开(公告)号：CN101886266B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC分类号： C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN102939407A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
摘要： 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
48 条记录 (耗时 0.047 秒)
