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公开(公告)号：CN104681480A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510103758.2
申请日：2008-12-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种设置于一半导体衬底上的半导体功率组件，其包含有一设置于该半导体衬底顶面上的已图案化多晶硅层的一第一部份的静电放电（ESD）保护电路。这半导体功率组件更包含有一作为本体离子植入阻碍层的已图案化ESD多晶硅层的第二部分，以阻碍掺杂的本体离子进入位于该本体离子植入阻碍层下方的半导体衬底。在另一具体实施例中，位于半导体组件的边缘上的静电放电（ESD）多晶硅层更覆盖半导体组件边缘上的一切割道，由此于制作半导体组件时不再需要一钝化层，以减少图案化钝化层所需的掩膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104617134A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510103697.X
申请日：2008-12-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种设置于一半导体衬底上的半导体功率组件，其包含有一设置于该半导体衬底顶面上的已图案化多晶硅层的一第一部份的静电放电（ESD）保护电路。这半导体功率组件更包含有一作为本体离子植入阻碍层的已图案化ESD多晶硅层的第二部分，以阻碍掺杂的本体离子进入位于该本体离子植入阻碍层下方的半导体衬底。在另一具体实施例中，位于半导体组件的边缘上的静电放电（ESD）多晶硅层更覆盖半导体组件边缘上的一切割道，由此于制作半导体组件时不再需要一钝化层，以减少图案化钝化层所需的掩膜。
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公开(公告)号：CN104617134B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510103697.X
申请日：2008-12-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种设置于一半导体衬底上的半导体功率组件，其包含有一设置于该半导体衬底顶面上的已图案化多晶硅层的一第一部份的静电放电（ESD）保护电路。这半导体功率组件更包含有一作为本体离子植入阻碍层的已图案化ESD多晶硅层的第二部分，以阻碍掺杂的本体离子进入位于该本体离子植入阻碍层下方的半导体衬底。在另一具体实施例中，位于半导体组件的边缘上的静电放电（ESD）多晶硅层更覆盖半导体组件边缘上的一切割道，由此于制作半导体组件时不再需要一钝化层，以减少图案化钝化层所需的掩膜。
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公开(公告)号：CN104681480B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201510103758.2
申请日：2008-12-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种设置于一半导体衬底上的半导体功率组件，其包含有一设置于该半导体衬底顶面上的已图案化多晶硅层的一第一部份的静电放电（ESD）保护电路。这半导体功率组件更包含有一作为本体离子植入阻碍层的已图案化ESD多晶硅层的第二部分，以阻碍掺杂的本体离子进入位于该本体离子植入阻碍层下方的半导体衬底。在另一具体实施例中，位于半导体组件的边缘上的静电放电（ESD）多晶硅层更覆盖半导体组件边缘上的一切割道，由此于制作半导体组件时不再需要一钝化层，以减少图案化钝化层所需的掩膜。
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公开(公告)号：CN101919042B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200880124096.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/70
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种设置于一半导体衬底上的半导体功率组件，其包含有一设置于该半导体衬底顶面上的已图案化多晶硅层的一第一部份的静电放电(ESD)保护电路。这半导体功率组件更包含有一作为本体离子植入阻碍层的已图案化ESD多晶硅层的第二部分，以阻碍掺杂的本体离子进入位于该本体离子植入阻碍层下方的半导体衬底。在另一具体实施例中，位于半导体组件的边缘上的静电放电(ESD)多晶硅层更覆盖半导体组件边缘上的一切割道，由此于制作半导体组件时不再需要一钝化层，以减少图案化钝化层所需的掩膜。
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公开(公告)号：CN101919042A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880124096.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/70
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种设置于一半导体衬底上的半导体功率组件，其包含有一设置于该半导体衬底顶面上的已图案化多晶硅层的一第一部份的静电放电(ESD)保护电路。这半导体功率组件更包含有一作为本体离子植入阻碍层的已图案化ESD多晶硅层的第二部分，以阻碍掺杂的本体离子进入位于该本体离子植入阻碍层下方的半导体衬底。在另一具体实施例中，位于半导体组件的边缘上的静电放电(ESD)多晶硅层更覆盖半导体组件边缘上的一切割道，由此于制作半导体组件时不再需要一钝化层，以减少图案化钝化层所需的掩膜。
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