公开(公告)号：CN118880291A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410920531.6

申请日：2024-07-10

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 应程 ,  方万一 ,  王坤 ,  王成宏

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/14

摘要： 本公开实施例公开了一种晶圆承载装置、气相沉积机台及其操作方法，所述晶圆承载装置包括：晶圆承载台，包括用于承载晶圆的承载面；导气槽，嵌设于所述晶圆承载台中；所述导气槽的开口端与所述承载面平齐；升降部，对应于所述导气槽、且在所述导气槽内沿着第一方向升降；导气管，与所述导气槽连通；所述导气管用于所述导气槽的通气或排气。

公开(公告)号：CN116110920B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310137667.5

申请日：2023-02-20

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 李赟 ,  王逸群 ,  孙远

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区、位于相邻两个有源区之间的隔离结构以及位于有源区上的绝缘层，其中，隔离结构的厚度与绝缘层的厚度不同；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一掩膜层；利用第一掩膜层对衬底进行离子注入处理，形成深阱区；去除第一掩膜层以及缓冲层；本申请通过在衬底上形成缓冲层，使得缓冲层同时覆盖隔离结构和绝缘层，可以消除隔离结构和绝缘层对光产生的反射差异，即消除了反射差异对曝光的影响，从而实现光刻工艺关键尺寸的均匀性控制，保证离子注入的均匀，提升了像素的满阱容量的均一性，减少了不规则噪声。

公开(公告)号：CN117815813A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410059691.6

申请日：2024-01-16

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 杨铭

IPC分类号： B01D46/62 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  B01D46/48 ,  B01D46/42 ,  B01D46/00

摘要： 本申请涉及一种基板处理装置、基板转移组件及过滤器。过滤器用于设置于机械臂与抽气管路之间，过滤器包括过滤主体。过滤主体用于过滤掉由机械臂抽送至抽气管路的气体中的溶液，过滤主体设有第一连接部与第二连接部。第一连接部用于与机械臂连通，第二连接部用于与抽气管路连通。过滤主体能过滤掉由机械臂抽送至抽气管路的气体中的溶液，从而能防止残留于基板表面上的溶液通过机械臂抽吸进入到抽气管路中，也就能有效防止抽气管路的堵塞与腐蚀缺陷，从而能提高生产效率。

公开(公告)号：CN117293021A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311307598.4

申请日：2023-10-10

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 王坤

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L21/321

摘要： 本申请提供一种半导体器件的制作方法和半导体器件，该方法包括：提供一半导体结构；所述半导体结构包括沿第一方向依次堆叠设置的器件层和半导体基材；在所述半导体基材沿所述第一方向上远离所述器件层的一侧形成耐高温的过渡层；在所述过渡层中形成多个间隔分布且露出所述半导体基材的盲孔；形成覆盖所述盲孔和所述过渡层的第一金属层；形成覆盖所述第一金属层的第二金属层后进行退火处理，以在所述第一金属层和所述半导体基材的接触部位形成隔离结构。本申请有效改善金属异常聚集和隔离结构不均匀的问题，提高半导体器件的良率和性能。

公开(公告)号：CN117276062A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311264992.4

申请日：2023-09-26

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 高标 ,  应程

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  B23K26/364 ,  B23K26/402

摘要： 本发明涉及一种切割道的形成方法。切割道的形成方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底以及位于衬底之上的功能层；采用激光切割工艺于所述功能层内形成第一切割道，所述第一切割道暴露出所述衬底的上表面；基于所述第一切割道对所述衬底进行刻蚀，以形成贯穿所述衬底的第二切割道。采用本方法能够提高切割质量。

公开(公告)号：CN117253848A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311316932.2

申请日：2023-10-11

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 汪松

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

摘要： 本申请提供一种导通孔的填充方法和半导体器件，该方法包括：提供一半导体结构；半导体结构包括沿第一方向延伸的第一盲孔以及位于第一盲孔的内侧壁表面的第一种子层，第一盲孔自半导体结构的正面开口并往半导体结构的背面方向延伸；刻蚀半导体结构形成第二盲孔，在第二盲孔的内侧壁表面形成第二种子层，第二盲孔自半导体结构的背面开口并往半导体结构的正面方向延伸，且第二盲孔与第一盲孔相对应；在第一盲孔和第二盲孔连通形成导通孔后，向导通孔内沉积第一导电材料以形成通孔导电柱。本申请避免TSV孔的电镀出现开口提前封闭，改善半导体器件的成品质量。

公开(公告)号：CN116644707B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310853507.0

申请日：2023-07-12

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 李赟

IPC分类号： G06F30/392 ,  G03F1/70 ,  G03F1/38 ,  G03F1/60 ,  H01L27/02 ,  H01L27/146

摘要： 本公开实施例提供了一种半导体版图的设计方法和半导体版图。该半导体版图被划分为中心区域和边缘区域，该半导体版图包括掩膜层和衬底层，掩膜层包括多个单元曝光图案，衬底层包括隔离区和多个有源区，该方法包括：对掩膜层的单元曝光图案的面积进行调整，和/或，对衬底层的有源区的面积和隔离区的面积进行调整，以在根据掩膜层进行曝光处理形成掩膜图案时，边缘区域和中心区域均满足预设曝光效果。这样，本公开实施例能够改善曝光处理时的散焦缺陷，还能够提升曝光制程的工艺窗口。

公开(公告)号：CN116666309B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310937991.5

申请日：2023-07-28

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 王坤 ,  方万一

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/77

摘要： 本发明涉及一种裸片及其制备方法。裸片的制备方法包括：提供裸片，裸片包括功能区；于功能区与裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕功能区的环状沟槽；于环状沟槽内形成缓冲层。由于环状沟槽内的缓冲层可以在裸片受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片的机械强度。

公开(公告)号：CN117000705A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311279590.1

申请日：2023-10-07

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 何玉琦

IPC分类号： B08B9/035 ,  G01B7/06

摘要： 本申请实施例公开了一种管路粉尘处理装置，包括：监测模块、逻辑控制电路和清除模块。其中，监测模块，设置于机台的气体管路中，被配置为监测气体管路中的粉尘厚度，得到对应的厚度电信号；逻辑控制电路，分别电连接监测模块和机台，被配置为接收厚度电信号，并获取机台的状态读值，基于机台的状态读值和厚度电信号，发出清除指令；清除模块，电连接逻辑控制电路，被配置为接收并响应于清除指令，对气体管路中的粉尘进行清除。

公开(公告)号：CN116611391B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310886303.7

申请日：2023-07-19

申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司

发明人： 李赟

IPC分类号： G06F30/392 ,  H01L27/02 ,  H01L27/146

摘要： 本公开实施例提供了一种半导体版图及其布局方法，该半导体版图包括衬底层和光罩层，衬底层包括有源区和隔离区，光罩层包括至少一个第一光阻图案和至少一个第二光阻图案，且第一光阻图案位于隔离区上方，第二光阻图案至少部分位于有源区上方；其中：第一光阻图案的宽度与第二光阻图案的宽度不同，以在根据光罩层进行曝光处理形成掩膜版时，根据第一光阻图案得到的第一光阻和根据第二光阻图案得到的第二光阻之间的宽度偏差值满足预设条件；宽度偏差值为第一光阻的第一宽度与第二光阻的第二宽度之间的差值，从而可以减小位于隔离区上方的第一光阻和位于有源区上方的第二光阻之间的宽度偏差值，减少随机噪声。