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公开(公告)号：CN118880291A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410920531.6
申请日：2024-07-10
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/14
摘要： 本公开实施例公开了一种晶圆承载装置、气相沉积机台及其操作方法，所述晶圆承载装置包括：晶圆承载台，包括用于承载晶圆的承载面；导气槽，嵌设于所述晶圆承载台中；所述导气槽的开口端与所述承载面平齐；升降部，对应于所述导气槽、且在所述导气槽内沿着第一方向升降；导气管，与所述导气槽连通；所述导气管用于所述导气槽的通气或排气。
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公开(公告)号：CN116666309B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310937991.5
申请日：2023-07-28
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
摘要： 本发明涉及一种裸片及其制备方法。裸片的制备方法包括：提供裸片，裸片包括功能区；于功能区与裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕功能区的环状沟槽；于环状沟槽内形成缓冲层。由于环状沟槽内的缓冲层可以在裸片受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片的机械强度。
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公开(公告)号：CN116875964B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310906267.6
申请日：2023-07-21
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种半导体装置及气密性检测方法，其中，半导体装置包括：多个第一腔室，用于对待沉积结构进行沉积处理；第二腔室，与多个第一腔室连接，用于实现传输待沉积结构；气体检测单元，位于与第二腔室连接的抽气通道上，用于对抽气通道内的气体进行检测。
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公开(公告)号：CN117374095A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311677476.4
申请日：2023-12-08
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开实施例提供了一种图像传感器及其制备方法，其中，图像传感器包括：衬底；像素层，位于衬底上，光学调整层，光学调整层位于像素层上，光学调整层至少包括从上至下分布的第一子层和第二子层。其中，第一子层的折射率小于第二子层的折射率。
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公开(公告)号：CN118231239B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410635045.X
申请日：2024-05-21
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/336 , H01L21/67 , H01F7/06 , H01F6/00
摘要： 本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体装置，其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括第一源漏极和第二源漏极；在第一源漏极和第二源漏极表面形成金属层；对含有金属层的基底进行第一次退火，形成高阻态金属硅化物薄膜；在磁场力的作用下，对含有高阻态金属硅化物薄膜的基底进行第二次退火，形成低阻态金属硅化物薄膜；其中，在磁场力的作用下，高阻态金属硅化物薄膜中的金属原子竖直地向第一源漏极和第二源漏极的内部运动。这样，能够形成更加均匀的低阻态金属硅化物薄膜，有利于提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN117976618A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410073984.X
申请日：2024-01-18
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/532
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构的制备方法，包括：提供基底；基底中形成有通孔，通孔沿垂直于基底的顶面的方向延伸至基底内；形成覆盖通孔的侧壁和底部的阻挡层；形成覆盖阻挡层表面的中间层；形成覆盖中间层表面的连接层；填充通孔的剩余空间，形成导电柱；其中，中间层为合金材料层；连接层为包括多个子层的复合层，多个子层沿远离中间层表面的方向依次层叠；阻挡层、中间层、连接层中的至少一个子层和导电柱的热膨胀系数逐渐增大。
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公开(公告)号：CN116666309A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310937991.5
申请日：2023-07-28
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
摘要： 本发明涉及一种裸片及其制备方法。裸片的制备方法包括：提供裸片，裸片包括功能区；于功能区与裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕功能区的环状沟槽；于环状沟槽内形成缓冲层。由于环状沟槽内的缓冲层可以在裸片受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片的机械强度。
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公开(公告)号：CN118231239A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410635045.X
申请日：2024-05-21
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/336 , H01L21/67 , H01F7/06 , H01F6/00
摘要： 本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体装置，其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括第一源漏极和第二源漏极；在第一源漏极和第二源漏极表面形成金属层；对含有金属层的基底进行第一次退火，形成高阻态金属硅化物薄膜；在磁场力的作用下，对含有高阻态金属硅化物薄膜的基底进行第二次退火，形成低阻态金属硅化物薄膜；其中，在磁场力的作用下，高阻态金属硅化物薄膜中的金属原子竖直地向第一源漏极和第二源漏极的内部运动。这样，能够形成更加均匀的低阻态金属硅化物薄膜，有利于提高半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN116875964A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310906267.6
申请日：2023-07-21
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种半导体装置及气密性检测方法，其中，半导体装置包括：多个第一腔室，用于对待沉积结构进行沉积处理；第二腔室，与多个第一腔室连接，用于实现传输待沉积结构；气体检测单元，位于与第二腔室连接的抽气通道上，用于对抽气通道内的气体进行检测。
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公开(公告)号：CN221613847U
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202420116876.1
申请日：2024-01-17
申请人： 湖北江城芯片中试服务有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本申请实施例公开了一种半导体设备。其中，该半导体设备包括机械手臂、升降箍和限位环；升降箍带动限位环进行移动；限位环被配置为拾取机械手臂上的晶圆，或者转移晶圆至机械手臂上；其中，限位环包括C形主体部和多个间隔分布于C形主体部底部的承载部；C形主体部的外侧壁面和/或承载部的外侧壁面，与升降箍连接；C形主体部具有一开口，开口被配置为在转移晶圆时，避免限位环与机械手臂接触；承载部被配置为承载晶圆。
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