公开(公告)号：CN107924938B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201680048254.8

申请日：2016-06-16

Applicant: 泰戈尔技术股份有限公司 ,  马尼沙·N·沙哈 ,  阿米塔瓦·达斯

Inventor： 马尼沙·N·沙哈 ,  阿米塔瓦·达斯

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/15 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7831 ,  H03K2017/066 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0081

Abstract: HEMT单元包括彼此串联地电连接的两个或更多个氮化镓(“GaN”)高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件。HEMT单元包括HEMT单元漏极、HEMT单元源极和HEMT单元栅极。HEMT单元漏极与该串联中的第一个GaN HEMT器件的漏极连接。HEMT单元源极与该串联中的最后一个GaN HEMT器件的源极连接。HEMT单元栅极连接到与第一个GaN HEMT器件的栅极连接的第一二维电子气(“2DEG”)栅极偏置电阻器。HEMT单元栅极连接到与第二GaN HEMT器件的栅极连接的第二2DEG栅极偏置电阻器。第一和第二2DEG栅极偏置电阻器位于HEMT单元的2DEG层中。还公开了一种多掷RF开关。

公开(公告)号：CN107924938A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048254.8

申请日：2016-06-16

Applicant: 泰戈尔技术股份有限公司 ,  马尼沙·N·沙哈 ,  阿米塔瓦·达斯

Inventor： 马尼沙·N·沙哈 ,  阿米塔瓦·达斯

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/15 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/063 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7831 ,  H03K2017/066 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0081

Abstract: HEMT单元包括彼此串联地电连接的两个或更多个氮化镓(“GaN”)高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件。HEMT单元包括HEMT单元漏极、HEMT单元源极和HEMT单元栅极。HEMT单元漏极与该串联中的第一个GaN HEMT器件的漏极连接。HEMT单元源极与该串联中的最后一个GaN HEMT器件的源极连接。HEMT单元栅极连接到与第一个GaN HEMT器件的栅极连接的第一二维电子气(“2DEG”)栅极偏置电阻器。HEMT单元栅极连接到与第二GaN HEMT器件的栅极连接的第二2DEG栅极偏置电阻器。第一和第二2DEG栅极偏置电阻器位于HEMT单元的2DEG层中。还公开了一种多掷RF开关。