微波加热处理装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119655247A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202510041471.5

    申请日:2025-01-10

    Abstract: 本发明提供了一种微波加热处理装置,应用于微波加工技术领域,包括:微波加热组件、挖掘组件、处理腔;所述挖掘组件,用于铲起待处理物,并将铲起的待处理物传送至所述处理腔中,所述待处理物包括秸秆、土壤、杂草中的至少一种;所述微波加热组件,用于对处理腔中的待处理物进行微波加热处理。也即,可以通过挖掘组件将田地中的秸秆、土壤、杂草铲起并传送至处理腔中,然后通过微波加热组件对处理腔中的秸秆、土壤、杂草进行加热处理,从而同时实现秸秆、杂草的处理,以及有效杀灭土壤中病虫害。

    一种水导激光水-光-气协同异构控制板卡及控制方法

    公开(公告)号:CN119644883A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411857295.4

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种水导激光水‑光‑气协同异构控制板卡及控制方法,涉及水导激光控制技术领域,解决的是因高压水路、激光、保护气控制系统是相互独立,需要多个独立控制器来实现水‑光‑气的控制,导致高压水‑光‑气控制系统独立性高,协同控制效率低的问题;控制板卡,包括主控器、DDR存储器、ADC/DAC转换模块、水路控制模块、保护气路控制模块、光路控制模块、激光器控制模块、调试接口、通讯接口、故障检测接口和电源管理与保护集成芯片;通过异构控制板卡(FPGA+ARM),消除独立控制单元间的信号延迟和干扰,实现水射流、激光和保护气体在时序和动态响应上的精准协同,同时支持多种保护气体类型的选择及压力精确调节与实时监测;以规划软硬件数据通讯,并降低控制板卡的功耗和复杂度,还提升控制板卡的数据处理和响应速度。

    基于化学腐蚀法制造晶片的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119530988A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411619633.0

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本公开公开了一种基于化学腐蚀法制造晶片的方法,涉及芯片技术领域,尤其涉及晶片制造技术领域。具体方案为:通过酸性腐蚀混合液腐蚀的方法,将晶片与晶锭进行分离,分离过程更温和,能避免超声波震动导致的碎片风险,还可以均匀的去除激光烧灼点,同时使分离面的粗糙度降低,提高表面平坦化,可以减少后续研磨工序的加工时间和砂轮的损耗量。此外,酸性腐蚀混合液对激光改质层中进行刻蚀过程中,改质层被溶解的同时会产生部分氢气,从而在改质层中形成混合液流动通道,本公开通过添加聚氧乙烯醚类表面活性剂,可以增强混合液的浸润性,促进混合液的流动,同时可以防止气泡长大阻碍去除物与混合液的接触,进而提升激光烧蚀层的烧蚀效率和均匀性。

    一种柔性扩晶设备及方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119361517A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411179790.4

    申请日:2024-08-27

    Abstract: 本发明公开了一种柔性扩晶设备,包括上部设置有晶圆片固定座的工作台,晶圆片固定座上表面上下穿设有晶圆片顶出机构,晶圆片顶出机构包括设置有第一内腔且下端开口的晶圆片定位部,第一内腔内同轴且上下滑动设置有柔性顶出部,柔性顶出部通过下方设置的第一驱动机构在第一内腔内上下移动;第一内腔内还设置有用于对晶圆片上表面施加作用力的第一压紧部,柔性顶出部上升至设定位置,待进行扩晶的晶圆片的上下表面分别与第一压紧部和柔性顶出部上表面接触;用于提供一种柔性扩晶设备,能够在扩晶的同时尽可能的保证了扩晶的均匀,减小对晶体的损伤。

    一种Cu-BTC单晶电阻式湿度传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN118961811A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411260884.4

    申请日:2024-09-10

    Abstract: 本发明公开了一种Cu‑BTC单晶电阻式湿度传感器及制备方法,属于MOFs材料传感领域。本发明的Cu‑BTC单晶电阻式湿度传感器由超快激光对Cu‑BTC单晶表面诱导加工产生的平面叉指电极和叉指指间未加工的Cu‑BTC单晶材料组成,平面电极通过以下制备:S1:制备待加工面的长宽均大于等于100μm的Cu‑BTC单晶样品;S2:利用超快激光加工装置在设定激光加工参数下对步骤S1中的Cu‑BTC单晶样品进行超快激光诱导加工,得到平面叉指电极;其中,超快激光波长为1030 nm,脉宽t为1.2 ps≤t≤10 ps,加工功率P为3 mW≤P≤8 mW,扫描速度v为200μm/s≤v≤360μm/s,加工间隔为1μm,聚焦光斑为4μm。本发明的Cu‑BTC单晶电阻式湿度传感器对湿度的检测范围可达5%~90%RH,响应时间最快可达2 s,具有良好的选择性、稳定性和循环性。

    一种激光隐切设备的加强结构
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118789148A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202411062244.2

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本发明公开了一种激光隐切设备的加强结构,属于激光隐切技术领域,包括花岗岩基体,花岗岩基体的后侧面固定设置有激光光束传输系统模块,花岗岩基体和激光光束传输系统模块的下端面均固定设置有支撑体,两个支撑体的底端均与基座固定设置。本发明通过设置主动减震系统,使用时,在进行切割作业时,型材架产生的振动依次通过底座、基座、位移机构、主动减震系统和顶升装置传递到晶圆载物台上,使得晶圆载物台产生振动,影响晶圆片的切割精度,此时主动减震系统通过对振动的检测,然后根据检测的振动数据主动减震系统产生与晶圆载物台产生的振动相反的振动以抵消晶圆载物台产生的振动,使得晶圆载物台更稳定,提高晶圆片切割的精度。

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