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公开(公告)号：CN103831705B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201310245364.1
申请日：2013-06-17
Applicant: 日本微涂料株式会社
Abstract: 本发明提供一种对玻璃板等工件的周缘部高精度地进行研磨的研磨装置、研磨方法。研磨装置包括：第1研磨部，其对工件的周缘部的直线被研磨部分进行研磨，且具有水平的第1研磨轴线；和第2研磨部，其对工件的周缘部的非直线被研磨部分进行研磨，且具有水平的第2研磨轴线，第1、第2研磨部分别包括：用于保持工件的工件单元；和隔着研磨轴线与工件单元相对并用于配置研磨带的至少一部分表面的研磨带单元，所配置的研磨带的表面划分出各个研磨面，直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动，非直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动，由此进行研磨。
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公开(公告)号：CN101300321B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200680040783.X
申请日：2006-10-31
Applicant: 日本微涂料株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , B24D11/00 , C01B32/25 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供可再现性良好地生产没有加工不均的规定品质的加工品的研磨材料及其制备方法。所述研磨材料由周围附着有杂质(15)的一次粒径在20nm以下的人造金刚石颗粒(11)结合成团簇状而成的团簇金刚石(10)构成。团簇金刚石(10)的杂质(15)中所含的非金刚石碳浓度在95％以上、99％以下的范围，团簇金刚石(10)的非金刚石碳以外的杂质中所含的氯浓度在0.5％以上的范围。团簇金刚石(10)的团簇直径在30nm以上、500nm以下范围，平均团簇直径(D50)在30nm以上、200nm以下的范围。
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公开(公告)号：CN1784719A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012055.9
申请日：2004-04-14
Applicant: 日本微涂料株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: B24B21/04 , B24B19/028 , B24B37/042 , C03C19/00 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种为了在没有超过100的异常突起的条件下，明确且同样地形成线密度30条/μm的纹理条痕，对磁硬盘用的玻璃基片进行纹理加工的方法和在该纹理加工中使用的浆料。向旋转的玻璃基片上15供给浆料，将加工带14压紧，使其移动。浆料是分散了由撞击法而生成的人工金刚石粒子构成的磨粒的浆料。作为磨粒，使用初级粒子的平均粒径在1nm～20nm范围的人工金刚石的粒子和由该粒子构成的次级粒子的平均粒径在0.05μm～0.20μm范围的聚集粒子。在浆料中添加由高级脂肪酸酰胺、以及选自二元醇化合物、有机磷酸酯和表面活性剂中的至少二种试剂构成的添加剂。
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公开(公告)号：CN1239665C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN01801018.0
申请日：2001-03-23
CPC classification number: C09K3/1454 , B24B37/044 , B24D3/34
Abstract: 本发明提供在不损伤抛光表面的情况下进行抛光的抛光剂及抛光方法。抛光被抛光体表面的抛光剂是由基体粒子和被保持在其表面上的超微细磨料构成的。超微细磨料在抛光过程中被保持在基体粒子上。另外，还具有如下特征：在抛光过程中，超微细磨料即使从基体粒子表面的一部分剥离，也会再次附着于基体粒子的表面上。制造抛光剂的方法是由在超微细磨料中添加基体粒子并进行搅拌的工序构成。进一步地，使用抛光剂进行抛光的方法由如下工序组成：即，将抛光剂以恒定量供给承台的工序和一边以所定的旋转速度使承台旋转，一边将被抛光体抛光加工的工序。
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公开(公告)号：CN1366549A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01801018.0
申请日：2001-03-23
CPC classification number: C09K3/1454 , B24B37/044 , B24D3/34
Abstract: 本发明提供在不损伤抛光表面的情况下进行抛光的抛光剂及抛光方法。抛光被抛光体表面的抛光剂是由基体粒子和被保持在其表面上的超微细磨料构成的。超微细磨料在抛光过程中被保持在基体粒子上。另外,还具有如下特征:在抛光过程中,超微细磨料即使从基体粒子表面的一部分剥离,也会再次附着于基体粒子的表面上。制造抛光剂的方法是由在超微细磨料中添加基体粒子并进行搅拌的工序构成。进一步地,使用抛光剂进行抛光的方法由如下工序组成:即,将抛光剂以恒定量供给承台的工序和一边以所定的旋转速度使承台旋转,一边将被抛光体抛光加工的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100550314C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680013140.6
申请日：2006-04-18
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号：CN101496118A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028669.X
申请日：2007-08-01
Applicant: 日本微涂料株式会社
CPC classification number: B24B7/13 , B24B21/00 , B24B37/04 , H01L39/2454 , Y10S505/813 , Y10T29/49014 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明为了提高超导薄膜的临界电流，提供一种用于提高带状金属基材的表面结晶取向性的表面研磨方法。该方法对氧化物超导体中的带状基材的被研磨面进行研磨，该氧化物超导体由带状基材、形成于带状基材上的中间层、形成于中间层上的氧化物超导薄膜层构成，其特征在于，该方法包括一边使带状基材连续行进一边研磨被研磨面的研磨工序，研磨工序包括初期研磨和精加工研磨，最终研磨成被研磨面的表面平均粗糙度Ra为2纳米以下，中间层的面内取向性Δφ为5°以下。
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公开(公告)号：CN1701917A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200410057689.8
申请日：2004-08-23
Abstract: 本发明提供一种能够在不形成吸附痕的情况下，边进行面板的输送边进行清洁的面板清洁装置及方法。用输入侧夹持辊(41)保持面板(12)，并一边用传动带(31)支承面板(12)，一边对面板(12)进行输送。进一步输送面板(12)，用输出侧夹持辊(42)保持面板。这些夹持辊(41、42)间的间隔小于面板(12)的长度。辊(32、33)和夹持辊(41、42)设置成在箭头X方向上笔直地输送由传动带(31)支承的面板(12)。在一个方案中，一边经由压触辊(21)将清洁带(22)推压在面板的正面上，一边使清洁头(20)沿面板(12)的宽度方向往复移动。可使清洁头(20)沿箭头R方向旋转。
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公开(公告)号：CN103084957B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210041032.7
申请日：2012-02-21
Applicant: 日本微涂料株式会社
Abstract: 本发明提供一种端缘部被高精度地倒角加工且被具有高强度的玻璃板及其制造方法、研磨方法以及研磨装置。本发明的玻璃板是具有上表面、下表面以及位于这两个面之间的端面的矩形玻璃板，其中，位于所述上表面或所述下表面与所述端面的边界处的棱部中的至少一条边的棱部或者至少一个端面通过研磨带研磨而被形成为精加工面，该精加工面的平均表面粗糙度(Ra)为20nm以下，且最大谷深(Rv)为200nm以下。
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公开(公告)号：CN103831705A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310245364.1
申请日：2013-06-17
Applicant: 日本微涂料株式会社
CPC classification number: B24B21/002 , B24B21/18
Abstract: 本发明提供一种对玻璃板等工件的周缘部高精度地进行研磨的研磨装置、研磨方法。研磨装置包括：第1研磨部，其对工件的周缘部的直线被研磨部分进行研磨，且具有水平的第1研磨轴线；和第2研磨部，其对工件的周缘部的非直线被研磨部分进行研磨，且具有水平的第2研磨轴线，第1、第2研磨部分别包括：用于保持工件的工件单元；和隔着研磨轴线与工件单元相对并用于配置研磨带的至少一部分表面的研磨带单元，所配置的研磨带的表面划分出各个研磨面，直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动，非直线被研磨部分和研磨面接触地在研磨轴线上相对移动，由此进行研磨。
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