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公开(公告)号:CN101164148A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200680013140.6
申请日:2006-04-18
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置,其包括:晶片载置台,用于保持晶片;晶片载置台单元,包括用于使晶片载置台转动的装置,使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动,并平行于该表面移动晶片载置台;凹口研磨部分,用于研磨晶片上的凹口;以及斜面研磨部分,用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号:CN100550314C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200680013140.6
申请日:2006-04-18
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置,其包括:晶片载置台,用于保持晶片;晶片载置台单元,包括用于使晶片载置台转动的装置,使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动,并平行于该表面移动晶片载置台;凹口研磨部分,用于研磨晶片上的凹口;以及斜面研磨部分,用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号:CN1905991A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200580001597.0
申请日:2005-07-13
Applicant: 日本微涂料株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , Y10T428/24628 , Y10T428/24669
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内使晶圆表面均匀地平坦化的研磨垫。此研磨垫是具有高压缩恢复率和低压缩率的硬质研磨垫。研磨垫10由合成树脂的无泡沫体组成的薄片状的垫主体11构成。垫主体的肖氏D硬度在66.0~78.5的范围,优选70.0~78.5范围,更优选70.0~78.0的范围,最优选72.0~76.0的范围。垫主体的压缩率在4%以下的范围,优选2%以下的范围。垫主体的压缩恢复率在50以上%的范围,优选70%以上的范围。
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