热处理装置
    6.
    发明公开
    热处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN112601923A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201980055498.2

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 一种热处理装置,其具有:处理室单元,其在炉壳的内部装卸自如地固定于该炉壳;以及供电部,处理室单元具有:处理容器,在该处理容器进行工件的热处理;隔热构件,其设于处理容器的内部;加热器,该加热器的发热体位于处理容器的内部,且该发热器的端子位于处理容器的外部;以及母线,其设于处理容器的外部,且与加热器的端子电连接,供电部设于处理容器的外部,母线和供电部装卸自如地连接。

    DLC覆膜的成膜方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105705678B

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201480060931.9

    申请日:2014-10-31

    Abstract: [课题]本发明能够无需恒温装置之类的大型设备、腔室内的气体压力为低压时成膜速度也不下降地制造硬度及密合性优异的DLC覆膜。[解决手段]本发明提供DLC覆膜的成膜方法,其为通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法,将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压,作为供给于腔室内的成膜气体使用乙炔气体或甲烷气体,并且对于腔室内的气体的总压,在使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下,使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下,前述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。

Patent Agency Ranking