公开(公告)号：CN105705678A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480060931.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 同和热处理技术株式会社

Inventor： 田代裕树 ,  松冈宏之 ,  渡边元浩 ,  榊原渉 ,  野上惣一郎

IPC: C23C16/27 ,  C01B31/02 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C16/27 ,  C01B32/05 ,  C01B32/25 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/345 ,  C23C16/26 ,  C23C16/515 ,  C23C28/046 ,  C23C28/048

Abstract: [课题]本发明能够无需恒温装置之类的大型设备、腔室内的气体压力为低压时成膜速度也不下降地制造硬度及密合性优异的DLC覆膜。[解决手段]本发明提供DLC覆膜的成膜方法，其为通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法，将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压，作为供给于腔室内的成膜气体使用乙炔气体或甲烷气体，并且对于腔室内的气体的总压，在使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下，使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下，前述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。

公开(公告)号：CN105705678B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201480060931.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 同和热处理技术株式会社

Inventor： 田代裕树 ,  松冈宏之 ,  渡边元浩 ,  榊原渉 ,  野上惣一郎

IPC: C23C16/27 ,  C01B32/05 ,  C23C14/06

Abstract: [课题]本发明能够无需恒温装置之类的大型设备、腔室内的气体压力为低压时成膜速度也不下降地制造硬度及密合性优异的DLC覆膜。[解决手段]本发明提供DLC覆膜的成膜方法，其为通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法，将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压，作为供给于腔室内的成膜气体使用乙炔气体或甲烷气体，并且对于腔室内的气体的总压，在使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下，使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下，前述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。

公开(公告)号：CN105705675B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201480060930.4

申请日：2014-11-06

Applicant: 同和热处理技术株式会社

Inventor： 渡边元浩 ,  松冈宏之 ,  榊原渉 ,  野上惣一郎

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C14/22 ,  C03B2215/30 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/024 ,  C23C14/027 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C28/322 ,  C23C28/341 ,  C23C28/343

Abstract: 一种中间层形成方法，其为通过PVD法来形成中间层的中间层形成方法，所述中间层形成在基材与DLC膜之间，其具有在基材上形成Ti层的Ti层成膜工序、和在Ti层上形成TiC层的TiC层成膜工序，Ti层成膜工序中，向装载基材的腔室内供给Ar气体，以成膜压力为0.4Pa以上且1Pa以下的范围内的压力形成Ti层，TiC层成膜工序中，向前述腔室内供给Ar气体和CH4气体，以成膜压力为0.2Pa以上且不足0.4Pa的范围内的压力，对基材施加偏置电压比Ti层成膜工序中施加于基材的第一偏置电压高、且偏置电压高于‑100V的第二偏置电压，从而形成TiC层。

公开(公告)号：CN105705675A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480060930.4

申请日：2014-11-06

Applicant: 同和热处理技术株式会社

Inventor： 渡边元浩 ,  松冈宏之 ,  榊原渉 ,  野上惣一郎

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C14/22 ,  C03B2215/30 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/024 ,  C23C14/027 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C28/322 ,  C23C28/341 ,  C23C28/343

Abstract: 一种中间层形成方法，其为通过PVD法来形成中间层的中间层形成方法，所述中间层形成在基材与DLC膜之间，其具有在基材上形成Ti层的Ti层成膜工序、和在Ti层上形成TiC层的TiC层成膜工序，Ti层成膜工序中，向装载基材的腔室内供给Ar气体，以成膜压力为0.4Pa以上且1Pa以下的范围内的压力形成Ti层，TiC层成膜工序中，向前述腔室内供给Ar气体和CH4气体，以成膜压力为0.2Pa以上且不足0.4Pa的范围内的压力，对基材施加偏置电压比Ti层成膜工序中施加于基材的第一偏置电压高、且偏置电压高于-100V的第二偏置电压，从而形成TiC层。