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公开(公告)号：CN119529452B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510096228.3
申请日：2025-01-22
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C08L27/18 , C08L53/00 , C08K9/06 , C08K3/36 , C08F299/02 , B32B27/32 , B32B27/18 , B32B15/20 , B32B15/085
Abstract: 本发明涉及材料领域，公开了一种改性聚四氟乙烯树脂组合物及其制备方法和应用。该改性聚四氟乙烯树脂组合物包括：聚苯醚改性聚四氟乙烯粉末10～25份，改性填料40～60份，聚四氟乙烯乳液70～100份。本发明通过一系列的改性处理，可提高聚四氟乙烯与聚苯醚的相容性以及聚四氟乙烯与无机填料的相容性，降低无机填料的介电损耗，提高层压板的热稳定性，降低热膨胀系数；同时，在烧结时，键接聚苯醚可以吸收聚四氟乙烯结晶过程中体积收缩产生的应力，可解决聚四氟乙烯复合薄膜开裂问题。
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公开(公告)号：CN119827532A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411956805.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 乌镇实验室
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明涉及材料领域，特别涉及微焦点CT原位标记装置及方法。所述方法包括可装载微型复合材料样品的微焦点CT样品台、样品局部位置标记杆及其固定方法。所述可装载微型复合材料的微焦点CT样品台，CT样品台内含有两个独立圆柱体镂空空间及一个长方体开口。该方法对微型复合材料进行某一位置标记，从而实现分析微型复合材料同一位置经高温水氧环境处理前后进行微焦点CT扫描和分析，从而更准确、更有针对性地研究高温水氧处理对微型复合材料内部结构的影响及其缺陷的变化。
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公开(公告)号：CN119751104A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411964453.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C04B35/81 , C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种纳米晶须增强氮化硅结合碳化硅陶瓷及其制备方法，该方法包括：按质量分数计，55～75％碳化硅粉、15～35％硅粉和10～20％炭黑为主原料，与粘结剂、分散剂和水混合，得到陶瓷浆料；将所述陶瓷浆料倒入模具中，静置并干燥成型，得到多孔陶瓷坯体；采用所述多孔陶瓷坯体2倍质量的硅粉对其进行掩埋，在流动的氮气气氛下升温至1200～1500℃并保温，直接氮化制得Si3N4nw/SiC/C多孔陶瓷预制体；再升温至1600～1700℃，在真空度1～30Pa下真空保温，冷却，得到纳米晶须增强氮化硅结合碳化硅陶瓷。通过本发明简便的制备工艺，可原位生成纳米晶须而实现对氮化硅结合碳化硅陶瓷的良好增韧。
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公开(公告)号：CN119704381A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411805072.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 乌镇实验室
Abstract: 本发明提供了一种纤维增强陶瓷基复合材料的制备系统，包括：压力装置、前驱体树脂提供装置、热压装置、待浸渍真空膜袋、前驱体树脂收集装置和真空泵；所述压力装置和所述前驱体树脂提供装置连接；所述待浸渍真空膜袋设置于所述热压装置内部，且通过所述热压装置与所述前驱体树脂提供装置、所述前驱体树脂收集装置分别连接；所述热压装置的出口和所述前驱体树脂收集装置的入口相连接，所述前驱体树脂收集装置的出口和所述真空泵相连接。本申请还提供了一种制备系统的应用。本申请提供的制备系统可实现纤维增强陶瓷基复合材料的高效制备，提高浸渍效率；进一步的，本申请提供的制备系统还可制备大尺寸、结构复杂的复合材料。
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公开(公告)号：CN118515482B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202410970616.5
申请日：2024-07-19
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠基介电陶瓷制备方法，利用材料独特的反铁电特性来调控介电陶瓷的电场‑电容性质，采用粉料干压成型的方式，优化烧结温度等工艺参数，制备一种在宽电场强度范围（0~105 kV/cm）下电容随外加电场强度线性变化的铌酸钠基无铅介电陶瓷，能够应用于感知电容变化的电场传感器领域，实现介电损耗和应用电场的优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119529452A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510096228.3
申请日：2025-01-22
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C08L27/18 , C08L53/00 , C08K9/06 , C08K3/36 , C08F299/02 , B32B27/32 , B32B27/18 , B32B15/20 , B32B15/085
Abstract: 本发明涉及材料领域，公开了一种改性聚四氟乙烯树脂组合物及其制备方法和应用。该改性聚四氟乙烯树脂组合物包括：聚苯醚改性聚四氟乙烯粉末10～25份，改性填料40～60份，聚四氟乙烯乳液70～100份。本发明通过一系列的改性处理，可提高聚四氟乙烯与聚苯醚的相容性以及聚四氟乙烯与无机填料的相容性，降低无机填料的介电损耗，提高层压板的热稳定性，降低热膨胀系数；同时，在烧结时，键接聚苯醚可以吸收聚四氟乙烯结晶过程中体积收缩产生的应力，可解决聚四氟乙烯复合薄膜开裂问题。
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公开(公告)号：CN119391111A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411275648.X
申请日：2024-09-12
Applicant: 乌镇实验室
Abstract: 本发明涉及介电储能材料领域，公开了一种高储能改性BNNS/PTFE复合薄膜及其制备方法。该复合薄膜包括聚四氟乙烯基体和分散在聚四氟乙烯基体中的改性氮化硼纳米片；所述改性氮化硼纳米片包括氮化硼纳米片、结合于氮化硼纳米片上的聚多巴胺和接枝于聚多巴胺上的硅烷偶联剂；所述硅烷偶联剂包括含氟硅烷偶联剂以及含有至少一个氨基和至少一个亚胺基的氨基硅烷偶联剂。本发明中，通过在氮化硼纳米片上结合聚多巴胺，再接枝特定的两类硅烷偶联剂，能够赋予复合薄膜较好的介电性能和高温储能性能。
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公开(公告)号：CN119372787A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411963312.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C30B29/46 , H10N10/852 , C30B11/00
Abstract: 本发明涉及热电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法，大尺寸CoSbS基热电半导体晶体采用CoSbS多晶原料进行熔融生长法制成，CoSbS多晶原料采用单质Co颗粒、单质Sb颗粒以及单质S颗粒在650~750℃下摇摆熔融制成，摇摆熔融时将单质S颗粒置于单质Co颗粒和单质Sb颗粒的下层；该热电半导体晶体电导率优异，此外，该方法制备的热电半导体晶体尺寸大，工艺简单，还能够显著降低CoSbS多晶原料中硫元素损失率。
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公开(公告)号：CN119059822A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411572448.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C04B35/571 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及导热材料技术领域，尤其涉及一种导热SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。所述复合材料的制备方法包括：A）将特定材质的二维纤维布和高温石墨化处理后的石墨烯薄膜交替堆叠后，采用纤维线缝合，得到预制体；B）将预制体进行高温脱粘处理；C）将处理后的预制体进行化学气相渗透处理，得到带有界面相的预制体；D）采用聚碳硅烷对步骤C）得到的预制体进行浸渍后，再进行交联，高温裂解；E）重复步骤D），直至复合材料的增重率小于3%，得到导热SiC陶瓷基复合材料。本发明制备的导热SiC陶瓷基复合材料拥有超高的导热各向异性，即其平面方向拥有超高热导率，但厚度方向几乎隔热。
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公开(公告)号：CN118890793A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410899611.8
申请日：2024-07-05
Applicant: 乌镇实验室
Abstract: 本发明涉及高频覆铜板制备技术领域，为解决现有技术下PTFE基覆铜板热膨胀系数偏高的问题，提供一种PTFE基高频覆铜板的制备方法，包括如下步骤：在无水无氧氛围下，加入叔丁基锂活化处理的PTFE粉末、环己烷和乙烯基硅烷偶联剂，加热反应后经洗涤、干燥后加入乙醇水溶液中，再加入无机填料，加热反应后经过滤、洗涤、干燥后得到PTFE‑无机填料复合粉末；将PTFE‑无机填料复合粉末分散在PTFE乳液中得到浆料，将浆料涂覆到铜箔上，脱除溶剂后将另一介质面覆上铜箔，在高温高压下进行压制得到PTFE基覆铜板。该制备方法提高了PTFE与无机填料的界面作用力，降低了PTFE基覆铜板的热膨胀系数，兼顾高频介电性能。
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