本发明公开了一种纳米晶须增强氮化硅结合碳化硅陶瓷及其制备方法，该方法包括：按质量分数计，55～75％碳化硅粉、15～35％硅粉和10～20％炭黑为主原料，与粘结剂、分散剂和水混合，得到陶瓷浆料；将所述陶瓷浆料倒入模具中，静置并干燥成型，得到多孔陶瓷坯体；采用所述多孔陶瓷坯体2倍质量的硅粉对其进行掩埋，在流动的氮气气氛下升温至1200～1500℃并保温，直接氮化制得Si3N4nw/SiC/C多孔陶瓷预制体；再升温至1600～1700℃，在真空度1～30Pa下真空保温，冷却，得到纳米晶须增强氮化硅结合碳化硅陶瓷。通过本发明简便的制备工艺，可原位生成纳米晶须而实现对氮化硅结合碳化硅陶瓷的良好增韧。