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公开(公告)号：CN117385473B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311709975.7
申请日：2023-12-13
申请人： 乌镇实验室
摘要： 本发明涉及半导体领域，针对目前制备四元类金刚石结构化合物尺寸、性能受限的问题，提供一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，步骤为1高纯单质经过熔融反应得到类金刚石Cu2XYZ4晶体原料；2将晶体原料放入石英坩埚，抽真空密封；3将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到产物；所述高温熔化区的温度为950‑1200℃、中温生长区的温度为750‑950℃、低温退火区的温度为450‑750℃；中温生长区的温度梯度为10‑30℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2‑3mm/h。本发明可以获得大尺寸、性能优异的四元铜基类金刚石半导体晶体，而且工艺简单。
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公开(公告)号：CN117715497A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410166978.9
申请日：2024-02-06
申请人： 乌镇实验室
IPC分类号： H10N10/853 , H10N10/01
摘要： 本发明涉及热电材料领域，针对方钴矿基材料抗氧化性能差的问题，提供一种抗氧化方钴矿基热电复合材料及其制备方法。复合材料由方钴矿热电材料基体和纳米第二相材料组成，其中，第二相材料为硅或石墨，第二相材料占复合材料的体积比为0.1‑20 vol.%，复合材料在650‑850 K温度下不发生粉化。热电优值为方钴矿热电材料基体的0.8‑1.2倍。复合材料的制备方法采用放电等离子体烧结或者热压烧结。本发明在方钴矿材料中加入纳米第二相材料硅，在不恶化方钴矿基热电材料热电性能的同时，大幅度提升其抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN117385473A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311709975.7
申请日：2023-12-13
申请人： 乌镇实验室
摘要： 本发明涉及半导体领域，针对目前制备四元类金刚石结构化合物尺寸、性能受限的问题，提供一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，步骤为1高纯单质经过熔融反应得到类金刚石Cu2XYZ4晶体原料；2将晶体原料放入石英坩埚，抽真空密封；3将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到产物；所述高温熔化区的温度为950‑1200℃、中温生长区的温度为750‑950℃、低温退火区的温度为450‑750℃；中温生长区的温度梯度为10‑30℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2‑3mm/h。本发明可以获得大尺寸、性能优异的四元铜基类金刚石半导体晶体，而且工艺简单。
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公开(公告)号：CN118621446A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310221991.5
申请日：2023-03-09
申请人： 乌镇实验室
摘要： 本发明提供一种硫化银半导体晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)分别称量高纯度的Ag和S颗粒作为初始原料，其中Ag：S的摩尔比1.8～2.2：1；(2)将所述初始原料进行真空密封，在摇摆炉中升温至熔融温度1000～1100℃并保温0.5～4h后冷却得到多晶棒；(3)将多晶棒真空密封，放置位于三温区晶体生长炉的高温区保温，所述高温区的温度为920～1000℃，然后以0.5～3mm/h的速度下降并经过温度梯度为30～35℃/cm的梯度区；随后进入三温区晶体生长炉的低温区，所述低温区的温度为400～600℃；获得Ag2S晶体；(4)将获得的晶体进行退火，退火温度为700～900℃，退火时间为5～20h。本发明解决了现有制备方法存在的工艺繁琐，条件苛刻，生长尺寸较小等问题。
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公开(公告)号：CN117715497B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410166978.9
申请日：2024-02-06
申请人： 乌镇实验室
IPC分类号： H10N10/853 , H10N10/01
摘要： 本发明涉及热电材料领域，针对方钴矿基材料抗氧化性能差的问题，提供一种抗氧化方钴矿基热电复合材料及其制备方法。复合材料由方钴矿热电材料基体和纳米第二相材料组成，其中，第二相材料为硅或石墨，第二相材料占复合材料的体积比为0.1‑20 vol.%，复合材料在650‑850 K温度下不发生粉化。热电优值为方钴矿热电材料基体的0.8‑1.2倍。复合材料的制备方法采用放电等离子体烧结或者热压烧结。本发明在方钴矿材料中加入纳米第二相材料硅，在不恶化方钴矿基热电材料热电性能的同时，大幅度提升其抗氧化性能。
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