Invention Grant
- Patent Title: 一种铌酸钠基介电陶瓷制备方法
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Application No.: CN202410970616.5Application Date: 2024-07-19
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Publication No.: CN118515482BPublication Date: 2025-03-11
- Inventor: 张茂华 , 龚文 , 马天赐 , 郑木鹏 , 姚方周
- Applicant: 乌镇实验室
- Applicant Address: 浙江省嘉兴市桐乡市梧桐街道稻乐路925号
- Assignee: 乌镇实验室
- Current Assignee: 乌镇实验室
- Current Assignee Address: 浙江省嘉兴市桐乡市梧桐街道稻乐路925号
- Agency: 杭州杭诚专利事务所有限公司
- Agent 叶绍华
- Main IPC: C04B35/495
- IPC: C04B35/495 ; C04B35/622 ; C04B41/88
Abstract:
本发明公开了一种铌酸钠基介电陶瓷制备方法，利用材料独特的反铁电特性来调控介电陶瓷的电场‑电容性质，采用粉料干压成型的方式，优化烧结温度等工艺参数，制备一种在宽电场强度范围（0~105 kV/cm）下电容随外加电场强度线性变化的铌酸钠基无铅介电陶瓷，能够应用于感知电容变化的电场传感器领域，实现介电损耗和应用电场的优化。
Public/Granted literature
- CN118515482A 一种铌酸钠基介电陶瓷制备方法 Public/Granted day:2024-08-20
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