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公开(公告)号：CN103794677A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310600401.6
申请日：2013-11-25
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/022425 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池抛光工艺，属于太阳能光伏电池制造技术领域。主要特点是电解液采用10~35%浓度的HF溶液，阳极电极直接植入滚轮上，阳极电极和槽体内的阴极电极接电源，电流控制在不大于10A，电压控制在不大于36V，通过滚轮带液的方式对硅片背面进行抛光处理，滚轮带液转动的时候阳极电极可与硅片接触，从而使硅片形成阳极。本发明工艺较HF/HNO3单面刻蚀抛光效果要好，不仅工艺容易控制，而且由于通入电流增强了化学反应强度，与不通电流工艺相比达到相同刻蚀效果，使用更少的化学药液量，所以也节约了化学药液的使用量，降低电池工艺成本。
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公开(公告)号：CN103579418A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310550091.1
申请日：2013-11-08
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
Inventor： 王玉林
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1868 , H01L31/02167 , H01L31/022441
Abstract: 本发明公开了一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法，包括以下步骤：（1）在第一导电类型的电池衬底正面形成陷光机构；（2）对电池衬底的正面进行第二导电类型的掺杂；（3）在电池衬底的正面沉积减反射层；（4）在电池衬底背面上方设置掩膜板；（5）在电池衬底背面形成背面钝化介质层，形成背面钝化介质层同时形成背面无钝化介质层的裸露区域；（6）在电池衬底的背面和正面形成电极图形，然后通过高温烧结的方式形成电极金属与硅的欧姆接触。本发明能消除背钝化太阳电池制备过程中激光开窗造成的损伤，提高背接触太阳电池的转换效率，并降低背钝化电池的制备成本和组件制备的碎片率风险。
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公开(公告)号：CN103560168A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310501707.6
申请日：2013-10-23
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
Inventor： 郑飞
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/022441
Abstract: 本发明涉及一种PERC太阳能电池的制备工艺，属于硅太阳能电池技术领域，主要特点是正面镀膜与正面金属印刷工艺之间依次在硅片背面进行背面金属印刷导电材料的印刷、背面镀膜和背面金属印刷。本专利通过优化工艺顺序，在硅片背面先进行导电材料的印刷，然后再对背面进行镀膜钝化。这样，钝化层会与之前的导电材料自动对准，从而省去了激光或是化学开槽的步骤和设备投资，最后，在硅片背面可以印刷或沉积少量的导电材料，而无需像传统的PERC电池需要整面的导电材料，从而实现节省材料的目的。
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公开(公告)号：CN103612010A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310604676.7
申请日：2013-11-26
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
IPC: B23K26/06 , B23K26/0622 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , B23K26/382 , B23K26/0622 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池激光开孔波形，属于太阳能光伏电池制造领域，主要特点是将若干个单脉冲波形叠加在一个脉冲波形中，从而形成一个大的有多个能量峰值的多脉冲波形，本发明通过形成的多脉冲波形能很好的改善和解决以往一种单脉冲波形的缺点，采用温度逐渐递增的波形，能改善由于硅片急剧升温导致的热损伤；与单脉冲波形相比采用相同脉宽，但是多个脉冲叠加波形能匀化每个脉冲的不稳定因素，使热分布和光斑尺寸更加均匀，从而使形成的孔更加光滑更小的损伤和更加稳定的开孔尺寸。本发明在光伏电池领域应用广泛，激光刻边、激光掺杂、钝化介质膜烧蚀、MWT\IBC\LFC\薄膜电池等都可采用，由于各个工艺的差别，根据各自的工艺的需求可做相应调整。
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公开(公告)号：CN103560173A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310549483.6
申请日：2013-11-08
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
Inventor： 卢韦至
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种P-型背钝化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：（1）在P-型硅片上表面制绒及扩散；（2）对扩散后的P-型硅片的背面进行刻蚀处理；（3）刻蚀处理后的P-型硅片的背面镀膜形成钝化层；（4）P-型硅片的正面镀膜形成抗反射层；（5）背面钝化层上通过激光进行开孔；（6）对激光开孔处理后的P-型硅片进行热处理；（7）印刷电极并将电极烧结在P-型硅片，得到P-型背钝化太阳能电池。本发明节省了高成本的湿法去损伤步奏，并且可以同时在正面抗反射薄膜上形成氮化硅，利用多层薄膜的特性来降低反射率，光转化效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103545401A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310506596.8
申请日：2013-10-24
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/677
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/67313
Abstract: 本发明涉及一种扩散石英舟的新型插片装置，属于太阳能光伏电池制造技术领域，主要特点是硅片片盒处硅片的顶起装置、机械抓手和石英舟处硅片的顶起装置均由相对应的若干模块构成，各模块有序排列；顶起装置模块呈卡槽型，各卡槽内固定感应器，各卡槽由电动机驱动；机械抓手模块为旋转轴、吸片、电动机构成，吸片上固定感应器。本发明中各感应器由电脑控制电动机驱动，具有如下优点：1）在现有自动化设备的基础上，只需对三个部件进行一定的改进，改造成本较小；2）能够满足生产现场关于扩散石英舟插、卸片的所有需求，可以最大幅度降低人力成本；3）由于完全避免了人工插片、卸片，可以减少在生产过程中的污染，提高太阳能电池的效率，良率。
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公开(公告)号：CN103545177A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310505063.8
申请日：2013-10-24
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
Inventor： 赵建东
IPC: H01L21/266
CPC classification number: H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种离子注入机的新型掩膜及使用。属于太阳能光伏电池制造技术领域。这主要特点是掩膜为中间镂空的正方形石墨框，本发明是在现有用于选择性发射极工艺的点状、线状掩膜的基础上进行上述形状的改进，并运用到离子注入工艺中，通过较小的成本，克服现有离子注入工艺存在的硅片并联电阻偏低的问题，满足市场需求，最大程度提高电池效率和可靠性，改善电池品质。
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公开(公告)号：CN103538366A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310499217.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种二次印刷的实时对准方法及装置，属于硅太阳能电池技术领域，主要特点是进行两次拍照，合并计算一次印刷图形相对于二次印刷台面的位置，第一次拍照利用AOI自动光检设备，二次拍照采用设置在位于二次印刷台面下方的摄像头，本发明在电脑和相关程序的支持下，具有改造成本较小，一次印刷图形相对于硅片的位置、硅片相对于二次印刷台面的位置在记录后不会再发生变化，能够避免二次印刷对机械精度的过度依赖，减少由于设备老化所带来的产品品质问题，并且能够大幅降低后期设备维护成本，有利于提高太阳能电池转换效率。
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公开(公告)号：CN103963427A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410176272.7
申请日：2014-04-29
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池二次印刷对准装置，属于太阳能电池制造技术领域，主要特点是在二道印刷机机头上安装定位相机，定位相机的信号接电脑，本发明通过改变现有二道印刷机上料台面上方安装定位相机的结构，将定位相机集成在二道印刷机机头位置，当一道印刷完的电池片通过二道上料台面传送到二道印刷台面时，定位相机拍照，电脑计算电池片相对二道印刷台面位置，接着通过二道网版直接进行二次印刷。形成先传送，再拍照、计算，最后印刷。这就避免了现有在二道印刷机上料台面拍照后再传送造成的误差，使得二次印刷的稳定性大大提高，进而很大程度上提高了电池片成品良率，同时由于拍照定位与印刷在同一台面完成，在一定程度上提升了电池片生产产能。
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公开(公告)号：CN103633189A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310602314.4
申请日：2013-11-25
Applicant: 中电电气(扬州)光伏有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/186
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池膜面开窗工艺，属于太阳能光伏电池制造技术领域。主要特点是将腐蚀气体注入置有待开窗硅片的腔体内；腐蚀气体流量控制在0~5L/m。本发明主要采用能腐蚀SiO2(或SiNx/Al2O3/a-Si等所有能起到钝化和减反效果的薄膜)的气体(氢氟酸气体或添加有添加剂的氢氟酸气体的混合物等等所有能腐蚀这种薄膜的气体)来腐蚀膜面达到开窗的目的，高效的气体腐蚀速率，不仅产能高、工艺相对稳定适合量产，而且有效的克服了激光初次投入成本高和腐蚀浆料后期运营成本高的缺点。
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