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公开(公告)号：CN118499478A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410708285.8
申请日：2024-06-03
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于高温真空热处理设备的中空轴磁流体密封装置，属于密封装置技术领域。本发明包括：具有中空隔热结构的双层中空旋转轴和整体水冷夹套结构。本发明通过将中空轴改进为具有中控隔热结构的双层中空旋转轴，能够减小热端至磁液区域段的热传导系数，阻隔中空旋转轴的热量转递至磁液。同时将现有的高温真空热处理设备的外壳空间改进为整体水冷夹套结构，使冷却水在外壳空间的整个侧面区域通水，能够给轴承外圈和磁环外围区域降温，来提高磁液与轴承的热扩散。本发明能够提高磁流体密封装置的可靠性\耐高温密封性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN117839790A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263128.0
申请日：2024-03-08
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于粉体破碎及筛分的装置及方法，涉及碳化硅粉料制取技术领域，包括：架体、底座、上压板、下压板、伸缩装置和筛分装置，上压板与需要破碎的粉体的材料相同；下压板与需要破碎的粉体的材料相同，且下压板对应设置于上压板的下方，且下压板的顶部用于放置需要破碎的粉体；伸缩装置的固定端用于与架体固定连接，伸缩装置的活动端与上压板固定连接，且能够的带动上压板靠近或者远离下压板；筛分装置设置于底座上，且筛分装置位于下压板周侧的下方以接收并筛分上压板和下压板挤压破碎后的粉体，能够节约成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN117735544A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410190263.7
申请日：2024-02-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C01B32/215
摘要： 本发明公开了一种半导体级石墨粉的深度纯化方法，属于石墨粉提纯技术领域，包括以下步骤：将石墨粉置于加热炉中，抽真空；加热炉升温至1500‑1800℃，循环抽气充氩气直至低沸点杂质被去除；加热炉继续升温至2000‑2200℃，通入氩气和以及带氯元素和氟元素的烷烃类气体化合物的混合气体，循环抽气充混合气体直至高沸点被去除；降温，持续通入氩气，开炉取料。本发明采用上述的一种半导体级石墨粉的深度纯化方法，在原石墨氯化焙烧法的基础上新增了带有氟元素的烷烃类气体，可将石墨粉中的硼杂质除去，达到对石墨粉的深度纯化以满足高性能碳化硅单晶衬底的制备要求。
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公开(公告)号：CN116815318A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310668650.2
申请日：2023-06-07
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，装置包括底板和连接在底板上的多个门型石墨棒，每个门型石墨棒中间设置有石墨隔板，每个门型石墨棒的外部还罩设有石墨坩埚，石墨坩埚的外部罩设有外罩，外罩底部与底板相连接，底板上开设有第一进气孔，外罩的顶部开设有第一出气孔，石墨坩埚的底部边缘开设有第二进气孔，第一进气孔与第二进气孔相连通。本发明采用上述结构的一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，制备效率高，生长周期短，单炉产量可达200kg以上，碳化硅纯度达到99.99%以上，低投入，高产出，从根本上降低了制备SiC粉体的成本。
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公开(公告)号：CN113668064B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110867806.0
申请日：2021-07-29
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明属于半导体材料加工技术领域，是一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法；步骤包括：采用电子加速器对晶片进行辐照；先水平辐照晶片的小面区域；之后将晶片顺时针旋转90°，以晶片中轴线为界依次辐照中轴线一侧没有小面区域的区域和中轴线另一侧存在小面区域的区域；同时限定了电子加速器的输出功率、直流高压、电流、电子束流强度，以及辐照长度宽度、电子束出束口与辐照晶片的距离、辐照时间；本发明补偿了浅能级的非故意杂质缺陷，有效提升晶片的电阻率及晶片内与晶片间的电阻均匀性。
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公开(公告)号：CN112026024B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010859710.5
申请日：2020-08-24
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种通过导向框多线切割晶锭的方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶锭多线切割的过程中晶锭边缘易损伤，出现断线裂片的现象；具体步骤为：先将晶锭圆柱面外圈粘接一层导向条；使用正方形陶瓷导向框，将晶体粘接至导向框中央凹槽内；再将导向框粘接到切割底座上；将切割底座夹装好后，开始多线切割；本发明通过将晶锭粘结导向框，依附导向框进行切割，可以有效减少切割过程中线震动对晶锭边缘的损伤；降低断线风险；减小裂片风险；将切割工艺近似为一步工艺，降低切割工艺编写难度。
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公开(公告)号：CN112919473A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110438088.5
申请日：2021-04-22
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H2至750‑850mbar，然后抽真空至4.5×10‑6‑5.5×10‑6mbar；重复多次后将炉腔升温并将高纯Ar与H2以流量比9‑10.5:1注入炉腔，进行合成反应和转化合成反应，结束后在Ar与H2的保护下降温至室温；本发明可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。
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公开(公告)号：CN112760719A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110043756.4
申请日：2021-01-13
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提出一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，属于单晶硅生产加工技术领域；具体是采用高能粒子辐照碳化硅晶片，在碳化硅晶片引入点缺陷，以补偿碳化硅晶片浅能级缺陷；所述碳化硅晶片中的Al杂质浓度＜1E15cm‑3，B、N两种浅杂质浓度分别＜5E16cm‑3，采用高能粒子辐照剂量为0.3‑25MeV；辐照时间为0.1‑6h；本发明克服了在不使用深能级金属掺杂剂情况下实现半绝缘SiC晶圆片内和片间电阻率分布均匀的实际困难，不仅可以有效提升射频器件性能，同时可以提升产品一致性。
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公开(公告)号：CN112026030A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010779015.8
申请日：2020-08-05
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶体单线调向切割方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶体调向操作复杂，调向效率低的问题；具体步骤为：对晶体的基准面进行测量，找出偏角为零的方向，再测试该方向垂直角度，确定晶体偏角α；将晶体偏角为零的方向垂直固定在切割底座上，将切割底座紧固在单线切割装置上，并使单线切割装置的切割线紧贴晶体基准面；旋转晶体至对应偏角α，将料头截断，之后平移对刀，将料尾截断，得到调向后的晶体；本发明通过确定晶体偏角α和固定基准面的方式进行单线条向，快速确定切割角度，可有效提高晶体调向的效率，同时有效回收晶体多余部分，节约企业成本。
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公开(公告)号：CN111303772A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010116746.4
申请日：2020-02-25
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及化学机械抛光技术领域，具体为一种超快速低损碳化硅衬底抛光液及其制备方法，包括添加剂和抛光基液，抛光基液包括纳米金刚石微粉、强氧化剂，稳定剂等；添加剂按包括一定重量比的石墨烯、碳化钨、硅胶和二氧化钛；将添加剂各成分研磨成0.1-0.35μm的颗粒，将石墨烯、碳化钨和二氧化钛混合加热后加入硅胶颗粒继续研磨；之后将其加入到温度为30-39℃的抛光基液中混合；本发明所述添加剂对抛光基液具有平衡抛光时摩擦力作用，使碳化硅衬底在高速抛光的过程中，不会因为抛光速度加快而出现划痕或粗糙度加剧的问题，实现高速抛光的同时，降低表面粗糙度，减少划痕的目的，且整个精加工过程，加工精度高、自动化程度高。
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